IXYS
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| FET特点 | Depletion Mode |
| 封装 | Tube |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 800mA (Tc) |
| 封装/外壳 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| 供应商设备封装 | TO-263AA |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 21 Ohm @ 400mA, 0V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 60W |
| 标准包装 | 50 |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 1000V (1kV) |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 325pF @ 25V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 14.6nC @ 5V |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 系列 | IXTA08N100 |
| 单位重量 | 0.056438 oz |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 漏源极电压 (Vdss) | 1000V (1kV) |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 325pF @ 25V |
| 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值） | 21 Ohm @ 400mA, 0V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 14.6nC @ 5V |
| FET 功能 | Depletion Mode |
| FET 类型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 封装/外壳 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| 功率 - 最大值 | 60W |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 1000 V |
| 晶体管类型 | 1 N-Channel |
| 品牌 | IXYS |
| Id - Continuous Drain Current | 800 mA |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 通道数 | 1 Channel |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 21 Ohms |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 技术 | Si |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
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