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厂商型号

IXSH50N60B 

产品描述

IGBT Transistors 75 Amps 600V 2.5 Rds

内部编号

184-IXSH50N60B

生产厂商

IXYS

ixys

#1

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IXSH50N60B产品详细规格

规格书 IXSH50N60B datasheet 规格书
IXSH50N60B
文档 IGBT's S Class Type 23/Apr/2013
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 30
IGBT 型 PT
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 600V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 50A
- 集电极电流(Ic)(最大) 75A
功率 - 最大 250W
Input 型 Standard
安装类型 Through Hole
包/盒 TO-247-3
供应商器件封装 TO-247AD
包装材料 Tube
供应商封装形式 TO-247AD
最大栅极发射极电压 ±20
最大连续集电极电流 75
欧盟RoHS指令 Compliant
最高工作温度 150
包装宽度 5.3(Max)
标准包装名称 TO-247-AD
包装高度 21.46(Max)
安装 Through Hole
最大功率耗散 250000
渠道类型 N
最大集电极发射极电压 600
标签 Tab
PCB 3
包装长度 16.26(Max)
最低工作温度 -55
引脚数 3
铅形状 Through Hole
栅极电荷 167nC
电流 - 集电极( Ic)(最大) 75A
安装类型 Through Hole
标准包装 30
开关能量 3.3mJ (off)
时间Td(开/关) @ 25°C 70ns/150ns
Vce(开) (最大值) Vge,Ic时 2.5V @ 15V, 50A
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 600V
供应商设备封装 TO-247AD
封装 Tube
功率 - 最大 250W
输入类型 Standard
封装/外壳 TO-247-3
IGBT类型 PT
电流 - 集电极脉冲( ICM ) 200A
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
集电极电流(DC ) 75 A
集电极 - 发射极电压 600 V
包装类型 TO-247AD
工作温度(最大) 150C
工作温度(最小值) -55C
工作温度分类 Military
配置 Single
Gate to Emitter Voltage (Max) �20 V
弧度硬化 No

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