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厂商型号

IXGT20N 60BD1 

产品描述

IGBT Transistors 40 Amps 600 V 2.0 V Rds

内部编号

184-IXGT20N-60BD1

生产厂商

IXYS

ixys

#1

数量:0
最小起订量:1
美国加州
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IXGT20N 60BD1产品详细规格

Status Active
供应商封装形式 TO-268AA
最大栅极发射极电压 ±20
最大连续集电极电流 40
欧盟RoHS指令 Compliant
最高工作温度 150
包装宽度 14(Max)
包装高度 5.1(Max)
安装 Surface Mount
最大功率耗散 150000
渠道类型 N
最大集电极发射极电压 600
标签 Tab
PCB 2
包装长度 16.05(Max)
最低工作温度 -55
引脚数 3
铅形状 Gull-wing
工厂包装数量 30
连续集电极电流Ic最大 40 A
系列 IXGT20N 60
单位重量 0.158733 oz
集电极 - 发射极最大电压VCEO 600 V
安装风格 SMD/SMT
封装 Tube
最大栅极发射极电压 +/- 20 V
最低工作温度 - 55 C
封装/外壳 TO-268AA-3
配置 Single
最高工作温度 + 150 C
RoHS RoHS Compliant
品牌 IXYS
身高 5.1 mm
宽度 14 mm
长度 16.05 mm
技术 Si

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