厂商型号:

IXGN200N60A2

芯天下内部编号:
184-IXGN200N60A2
生产厂商:

IXYS

microsemi
描述:
I
客户编号:
规格书:

所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。

产品参数

Type Description
供应商封装形式 SOT-227B
Maximum Gate Emitter Voltage ±20
Maximum Continuous Collector Current 200
欧盟RoHS指令 Compliant
最高工作温度 150
标准包装名称 SOT-227
安装 Screw
最大功率耗散 700000
渠道类型 N
最大集电极发射极电压 600
Package Width 25.42(Max)
PCB 4
Package Length 38.23(Max)
最低工作温度 -55
引脚数 4
铅形状 Screw
输入电容(Cies ) @ Vce时 9.9nF @ 25V
电流 - 集电极( Ic)(最大) 200A
IGBT类型 PT
安装类型 Chassis Mount
电流 - 集电极截止(最大) 50µA
标准包装 10
Vce(开) (最大值) Vge,Ic时 1.35V @ 15V, 100A
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 600V
供应商设备封装 SOT-227B
功率 - 最大 700W
封装/外壳 SOT-227-4, miniBLOC
输入 Standard
配置 Single
NTC热敏电阻 No
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
集电极电流( DC)(最大值) 200 A
集电极 - 发射极电压 600 V
包装类型 SOT-227B
工作温度(最大) 150C
工作温度(最小值) -55C
工作温度分类 Military
Gate to Emitter Voltage (Max) �20 V
弧度硬化 No
删除 Compliant
集电极电流(DC ) 200 A

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