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厂商型号

IXGN200N60 

产品描述

IGBT Transistors 200 Amps 600V

内部编号

184-IXGN200N60

生产厂商

IXYS

ixys

#1

数量:0
最小起订量:1
美国费城
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IXGN200N60产品详细规格

Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 20
IGBT 型 -
配置 Single
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 600V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 100A
- 集电极电流(Ic)(最大) 200A
电流 - 集电极截止(最大) 200µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce 9nF @ 25V
功率 - 最大 600W
输入 Standard
NTC Thermistor No
安装类型 Chassis Mount
包/盒 SOT-227-4, miniBLOC
供应商器件封装 SOT-227B
供应商封装形式 SOT-227B
最大栅极发射极电压 ±20
最大连续集电极电流 200
欧盟RoHS指令 Compliant
最高工作温度 150
标准包装名称 SOT-227
安装 Screw
最大功率耗散 600000
渠道类型 N
最大集电极发射极电压 600
包装宽度 25.42(Max)
PCB 4
包装长度 38.23(Max)
最低工作温度 -55
引脚数 4
铅形状 Screw
输入电容(Cies ) @ Vce时 9nF @ 25V
电流 - 集电极( Ic)(最大) 200A
安装类型 Chassis Mount
电流 - 集电极截止(最大) 200µA
标准包装 20
Vce(开) (最大值) Vge,Ic时 2.5V @ 15V, 100A
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 600V
供应商设备封装 SOT-227B
功率 - 最大 600W
封装/外壳 SOT-227-4, miniBLOC
输入 Standard
配置 Single
NTC热敏电阻 No
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
集电极电流( DC)(最大值) 200 A
集电极 - 发射极电压 600 V
包装类型 SOT-227B
工作温度(最大) 150C
工作温度(最小值) -55C
工作温度分类 Military
Gate to Emitter Voltage (Max) �20 V
弧度硬化 No
集电极电流(DC ) 200 A

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