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厂商型号

IXGK75N250 

产品描述

IGBT Transistors

内部编号

184-IXGK75N250

生产厂商

IXYS

ixys

#1

数量:38
最小起订量:1
美国费城
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IXGK75N250产品详细规格

规格书 IXGK75N250 datasheet 规格书
IXGx75N250
标准包装 25
IGBT 型 NPT
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 2500V
蒸气云爆炸(上)(最大值)”的发展,集成电路 2.7V @ 15V, 75A
集电极电流(Ic)(最大) 170A
当前 - Collector Pulsed (Icm) 530A
功率 - 最大 780W
Switching 能源 -
输入 型 Standard
栅极电荷 410nC
Td(开/关)@ 25°C 55ns/270ns
测试条件 -
反向恢复时间(trr) -
包装材料 Tube
包/盒 TO-264-3, TO-264AA
安装类型 Through Hole
供应商器件封装 TO-264
动态目录 Standard IGBTs###/catalog/en/partgroup/standard-igbts/17423?mpart=IXGK75N250&vendor=238&WT.z_ref_page_type=Part%20Search&WT.z_ref_page_sub_type=Part%20Detail%20Page&WT.z_ref_page_id=0
供应商封装形式 TO-264AA
最大栅极发射极电压 ±20
最大连续集电极电流 170
欧盟RoHS指令 Compliant
最高工作温度 150
包装宽度 5.13(Max)
包装高度 26.16(Max)
安装 Through Hole
最大功率耗散 780000
渠道类型 N
最大集电极发射极电压 2500
标签 Tab
PCB 3
包装长度 19.95(Max)
最低工作温度 -55
引脚数 3
栅极电荷 410nC
电流 - 集电极( Ic)(最大) 170A
安装类型 Through Hole
标准包装 25
时间Td(开/关) @ 25°C 55ns/270ns
Vce(开) (最大值) Vge,Ic时 3.6V @ 15V, 150A
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 2500V
供应商设备封装 TO-264
封装 Tube
功率 - 最大 780W
输入类型 Standard
封装/外壳 TO-264-3, TO-264AA
IGBT类型 NPT
电流 - 集电极脉冲( ICM ) 530A
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
集电极电流(DC ) 170 A
集电极 - 发射极电压 2500 V
包装类型 TO-264AA
工作温度(最大) 150C
工作温度(最小值) -55C
工作温度分类 Military
配置 Single
Gate to Emitter Voltage (Max) �20 V
弧度硬化 No

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