1. IXGH24N120C3
  2. IXGH24N120C3

图片仅供参考,产品以实物为准

厂商型号

IXGH24N120C3 

产品描述

IGBT Transistors 48 Amps 1200V

内部编号

184-IXGH24N120C3

生产厂商

IXYS

ixys

#1

数量:35
1+¥40.1373
10+¥33.8466
100+¥28.5132
500+¥26.4619
1000+¥23.043
2500+¥22.2225
最小起订量:1
美国加州
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#2

数量:17
1+¥48.0568
10+¥43.2232
最小起订量:1
美国费城
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#3

数量:1175
最小起订金额:¥₩600
新加坡
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订购说明

质量保障

原厂背书质量,全面技术支持

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IXGH24N120C3产品详细规格

规格书 IXGH24N120C3 datasheet 规格书
IXG(A,H,P)24N120C3
IXGH24N120C3 datasheet 规格书
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 30
IGBT 型 PT
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 1200V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 4.2V @ 15V, 20A
- 集电极电流(Ic)(最大) 48A
功率 - 最大 250W
Input 型 Standard
安装类型 Through Hole
包/盒 TO-247-3
供应商器件封装 TO-247
包装材料 Tube
供应商封装形式 TO-247
最大栅极发射极电压 ±20
最大连续集电极电流 48
欧盟RoHS指令 Compliant
最高工作温度 150
包装宽度 5.3(Max)
标准包装名称 TO-247
包装高度 21.46(Max)
安装 Through Hole
最大功率耗散 250000
渠道类型 N
最大集电极发射极电压 1200
标签 Tab
PCB 3
包装长度 16.26(Max)
最低工作温度 -55
引脚数 3
铅形状 Through Hole
栅极电荷 79nC
电流 - 集电极( Ic)(最大) 48A
安装类型 Through Hole
开关能量 1.16mJ (on), 470µJ (off)
标准包装 30
时间Td(开/关) @ 25°C 16ns/93ns
Vce(开) (最大值) Vge,Ic时 4.2V @ 15V, 20A
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 1200V
供应商设备封装 TO-247
封装 Tube
功率 - 最大 250W
输入类型 Standard
封装/外壳 TO-247-3
IGBT类型 PT
测试条件 600V, 20A, 5 Ohm, 15V
电流 - 集电极脉冲( ICM ) 96A
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
工厂包装数量 30
集电极 - 发射极饱和电压 3.6 V
栅极 - 射极漏泄电流 100 nA
系列 IXGH24N120
连续集电极电流在25 C 48 A
集电极 - 发射极最大电压VCEO 1200 V
单位重量 0.229281 oz
安装风格 Through Hole
功率耗散 250 W
最大栅极发射极电压 20 V
最低工作温度 - 55 C
配置 Single
最高工作温度 + 150 C
RoHS RoHS Compliant
品牌 IXYS
技术 Si
Pd - Power Dissipation 250 W

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