图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
 IXFK-FX64N60P3 |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 30 |
| FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Standard |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 600V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 64A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 95 mOhm @ 500mA, 10V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 5V @ 4mA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 145nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 9900pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 1130W |
| 安装类型 | Through Hole |
| 包/盒 | TO-247-3 |
| 供应商器件封装 | PLUS247™-3 |
| 包装材料 | Tube |
| FET特点 | Standard |
| 封装 | Tube |
| 安装类型 | Through Hole |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 64A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 5V @ 4mA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 600V |
| 标准包装 | 30 |
| 供应商设备封装 | PLUS247™-3 |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 95 mOhm @ 32A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 1130W |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 9900pF @ 25V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 145nC @ 10V |
| 工厂包装数量 | 30 |
| 配置 | Single |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 源极击穿电压 | 30 V |
| 连续漏极电流 | 64 A |
| 系列 | IXFX64N60 |
| 安装风格 | Through Hole |
| RDS（ON） | 95 mOhms |
| 功率耗散 | 1130 W |
| 正向跨导 - 闵 | 60 S, 36 S |
| 栅极电荷Qg | 145 nC |
| 上升时间 | 17 ns |
| 漏源击穿电压 | 600 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 下降时间 | 11 ns |
| 安装类型 | 通孔 |
| 晶体管材料 | Si |
| 类别 | 功率 MOSFET |
| 长度 | 16.13mm |
| 典型输入电容值@Vds | 9900 pF@ 25 V |
| 系列 | HiperFET, Polar3 |
| 通道模式 | 增强 |
| 高度 | 21.34mm |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 最大漏源电阻值 | 95 mΩ |
| 最大栅阈值电压 | 5V |
| Board Level Components | Y |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 通道类型 | N |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 最大功率耗散 | 1130 W |
| 最大栅源电压 | ±30 V |
| 宽度 | 5.21mm |
| 尺寸 | 16.13 x 5.21 x 21.34mm |
| 最大漏源电压 | 600 V |
| 典型接通延迟时间 | 43 ns |
| 典型关断延迟时间 | 66 ns |
| 封装类型 | PLUS247 |
| 最大连续漏极电流 | 64 A |
| 引脚数目 | 3 |
| 晶体管配置 | 单 |
| 典型栅极电荷@Vgs | 145 nC @ 10 V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 600 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 5 V |
| Qg - Gate Charge | 145 nC |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 30 V |
| 品牌 | IXYS |
| 通道数 | 1 Channel |
| 商品名 | HyperFET |
| 晶体管类型 | 1 N-Channel |
| Id - Continuous Drain Current | 64 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 95 mOhms |
| Pd - Power Dissipation | 1.13 kW |
| 技术 | Si |
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