IXYS
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| FET特点 | Standard |
| 封装 | Tube |
| 安装类型 | Through Hole |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 25A (Tc) |
| 封装/外壳 | ISOPLUS247™ |
| 供应商设备封装 | ISOPLUS247™ |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 标准包装 | 30 |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 900V |
| 系列 | IXFR25N90 |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 工厂包装数量 | 1 |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 900 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 品牌 | IXYS |
| Id - Continuous Drain Current | 25 A |
| Pd - Power Dissipation | 320 mW |
| 安装风格 | Through Hole |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 320 mOhms |
| 技术 | Si |
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