#1 |
数量:0 |
|
最小起订量:1 美国加州 当天发货,5-8个工作日送达. |
|
Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
标准包装 | 30 |
FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET特点 | Standard |
漏极至源极电压(VDSS) | 500V |
电流-连续漏极(编号)@ 25°C | 13A |
Rds(最大)@ ID,VGS | - |
VGS(TH)(最大)@ Id | - |
栅极电荷(Qg)@ VGS | - |
输入电容(Ciss)@ Vds的 | - |
功率 - 最大 | - |
安装类型 | Through Hole |
包/盒 | ISOPLUS247™ |
供应商器件封装 | ISOPLUS247™ |
包装材料 | Tube |
FET特点 | Standard |
封装 | Tube |
安装类型 | Through Hole |
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C | 13A (Tc) |
封装/外壳 | ISOPLUS247™ |
供应商设备封装 | ISOPLUS247™ |
FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
标准包装 | 30 |
漏极至源极电压(Vdss) | 500V |
系列 | IXFR13N50 |
RoHS | RoHS Compliant |
工厂包装数量 | 1 |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 500 V |
晶体管极性 | N-Channel |
品牌 | IXYS |
Id - Continuous Drain Current | 13 A |
安装风格 | Through Hole |
Rds On - Drain-Source Resistance | 400 mOhms |
技术 | Si |
IXFR13N50也可以通过以下分类找到
IXFR13N50相关搜索