IXYS
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| FET特点 | Standard |
| 封装 | Tube |
| 安装类型 | Chassis Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 28A |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 6.5V @ 8mA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 1000V (1kV) |
| 供应商设备封装 | SOT-227B |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 320 mOhm @ 16A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 780W |
| 标准包装 | 10 |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 9940pF @ 25V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 195nC @ 10V |
| 封装/外壳 | SOT-227-4, miniBLOC |
| 工厂包装数量 | 10 |
| 配置 | Single |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 源极击穿电压 | 30 V |
| 连续漏极电流 | 28 A |
| 系列 | IXFN32N1003 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| RDS（ON） | 320 mOhms |
| 功率耗散 | 780 W |
| 商品名 | HiPerFET |
| 封装/外壳 | SOT-227 |
| 上升时间 | 300 ns |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 漏源击穿电压 | 1000 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 栅极电荷Qg | 195 nC |
| 安装类型 | 面板安装 |
| 晶体管材料 | Si |
| 类别 | 功率 MOSFET |
| 长度 | 38.23mm |
| 典型输入电容值@Vds | 10900 pF @ 25 V |
| 系列 | HiperFET, Q3-Class |
| 通道模式 | 增强 |
| 高度 | 9.6mm |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 最大漏源电阻值 | 320 mΩ |
| 最大栅阈值电压 | 6.5V |
| Board Level Components | Y |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 通道类型 | N |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 最大功率耗散 | 780 W |
| 最大栅源电压 | ±30 V |
| 宽度 | 25.07mm |
| 尺寸 | 38.23 x 25.07 x 9.6mm |
| 最大漏源电压 | 1000 V |
| 典型接通延迟时间 | 45 ns |
| 典型关断延迟时间 | 54 ns |
| 封装类型 | SOT-227B |
| 最大连续漏极电流 | 28 A |
| 引脚数目 | 4 |
| 晶体管配置 | 单 |
| 典型栅极电荷@Vgs | 195 nC @ 10 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 30 V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 1000 V |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 320 mOhms |
| 品牌 | IXYS |
| Id - Continuous Drain Current | 28 A |
| 晶体管类型 | 1 N-Channel |
| 通道数 | 1 Channel |
| 技术 | Si |
| Qg - Gate Charge | 195 nC |
| Pd - Power Dissipation | 780 W |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
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