IXYS
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| FET特点 | Standard |
| 封装 | Tube |
| 安装类型 | Chassis Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 164A |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 5V @ 8mA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 250V |
| 供应商设备封装 | SOT-227B |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 12.9 mOhm @ 60A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 900W |
| 标准包装 | 10 |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 28000pF @ 25V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 345nC @ 10V |
| 封装/外壳 | SOT-227-4, miniBLOC |
| 工厂包装数量 | 10 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 连续漏极电流 | 155 A |
| 封装/外壳 | SOT-227B-4 |
| 下降时间 | 28 ns |
| 单位重量 | 1.340411 oz |
| 商品名 | GigaMOS |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 正向跨导 - 闵 | 100 s |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 典型关闭延迟时间 | 100 ns |
| 源极击穿电压 | +/- 20 V |
| 系列 | IXFN180N25 |
| RDS（ON） | 12.9 mOhms |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 功率耗散 | 900 W |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 上升时间 | 33 ns |
| 漏源击穿电压 | 250 V |
| 栅极电荷Qg | 345 nC |
| 漏源极电压 (Vdss) | 250V |
| 系列 | GigaMOS™ |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 28000pF @ 25V |
| 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值） | 12.9 mOhm @ 60A, 10V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 345nC @ 10V |
| FET 功能 | Standard |
| FET 类型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 5V @ 8mA |
| 封装/外壳 | SOT-227-4, miniBLOC |
| 功率 - 最大值 | 900W |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 250 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 5 V |
| 宽度 | 25.42 mm |
| Qg - Gate Charge | 345 nC |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
| 类型 | GigaMOS Power MOSFET |
| 品牌 | IXYS |
| 通道数 | 1 Channel |
| 晶体管类型 | 1 N-Channel |
| Id - Continuous Drain Current | 155 A |
| 长度 | 38.23 mm |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 12.9 mOhms |
| 通道模式 | Enhancement |
| 身高 | 12.22 mm |
| 典型导通延迟时间 | 37 ns |
| Pd - Power Dissipation | 900 W |
| 技术 | Si |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
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