IXYS
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| Maximum Gate Source Voltage | ±20 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 175 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 标准包装名称 | SOT-227 |
| 安装 | Screw |
| 最大功率耗散 | 680000 |
| 渠道类型 | N |
| Maximum Drain Source Resistance | 18@10V |
| 最低工作温度 | -55 |
| Maximum Drain Source Voltage | 200 |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| Package Width | 25.42(Max) |
| 供应商封装形式 | SOT-227B |
| Package Length | 38.23(Max) |
| PCB | 4 |
| Maximum Continuous Drain Current | 115 |
| 引脚数 | 4 |
| 铅形状 | Screw |
| FET特点 | Standard |
| 封装 | Tube |
| 安装类型 | Chassis Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 115A |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 5V @ 4mA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 200V |
| 供应商设备封装 | SOT-227B |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 18 mOhm @ 70A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 680W |
| 标准包装 | 10 |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 7500pF @ 25V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 240nC @ 10V |
| 封装/外壳 | SOT-227-4, miniBLOC |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 类别 | Power MOSFET |
| 配置 | Dual Source, Single |
| 外形尺寸 | 38.23 x 25.42 x 9.6mm |
| 身高 | 9.6mm |
| 长度 | 38.23mm |
| 最大连续漏极电流 | 115 A |
| 最大漏源电阻 | 0.018 Ω |
| 最大漏源电压 | 200 V |
| 最大门源电压 | ±20 V |
| 最高工作温度 | +175 °C |
| 最大功率耗散 | 680 W |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 包装类型 | SOT-227B |
| 典型栅极电荷@ VGS | 240 nC V @ 10 |
| 典型输入电容@ VDS | 7500 pF V @ 25 |
| 典型关闭延迟时间 | 150 ns |
| 典型导通延迟时间 | 30 ns |
| 宽度 | 25.42mm |
| 工厂包装数量 | 10 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 连续漏极电流 | 115 A |
| 封装/外壳 | SOT-227B-4 |
| 下降时间 | 90 ns |
| 单位重量 | 1.340411 oz |
| 商品名 | PolarHT |
| 正向跨导 - 闵 | 50 s |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 源极击穿电压 | +/- 20 V |
| 系列 | IXFN140N20 |
| RDS（ON） | 18 mOhms |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 功率耗散 | 680 W |
| 上升时间 | 35 ns |
| 漏源击穿电压 | 200 V |
| 栅极电荷Qg | 240 nC |
| 高度 | 9.6mm |
| 晶体管材料 | Si |
| 类别 | 功率 MOSFET |
| 长度 | 38.23mm |
| 典型输入电容值@Vds | 7500 pF@ 25 V |
| 通道模式 | 增强 |
| 安装类型 | 面板安装 |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 最大漏源电阻值 | 18 mΩ |
| 通道类型 | N |
| Board Level Components | Y |
| 最高工作温度 | +175 °C |
| 最大栅阈值电压 | 5V |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 最大功率耗散 | 680000 mW |
| 最大栅源电压 | ±20 V |
| 宽度 | 25.42mm |
| 尺寸 | 38.23 x 25.42 x 9.6mm |
| 最大漏源电压 | 200 V |
| 典型接通延迟时间 | 30 ns |
| 典型关断延迟时间 | 150 ns |
| 封装类型 | SOT-227B |
| 最大连续漏极电流 | 115 A |
| 引脚数目 | 4 |
| 晶体管配置 | 单 |
| 典型栅极电荷@Vgs | 240 nC @ 10 V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 200 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 5 V |
| Qg - Gate Charge | 240 nC |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
| 类型 | PolarHT HiPerFET Power MOSFET |
| 品牌 | IXYS |
| 通道数 | 1 Channel |
| 晶体管类型 | 1 N-Channel |
| Id - Continuous Drain Current | 115 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 18 mOhms |
| Pd - Power Dissipation | 680 W |
| 技术 | Si |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
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