IXYS
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 最大门源电压 | ±30 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 150 |
| Package Width | 5.21(Max) |
| 通道模式 | Enhancement |
| 标准包装名称 | ISOPLUS 264 |
| Package Height | 26.42(Max) |
| 安装 | Through Hole |
| 最大功率耗散 | 380000 |
| 渠道类型 | N |
| 最大漏源电阻 | 280@10V |
| 最低工作温度 | -55 |
| 最大漏源电压 | 1000 |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 标签 | Tab |
| 供应商封装形式 | ISOPLUS 264 |
| Package Length | 20.29(Max) |
| PCB | 3 |
| 最大连续漏极电流 | 29 |
| 引脚数 | 3 |
| FET特点 | Standard |
| 封装 | Tube |
| 安装类型 | Through Hole |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 29A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 5.5V @ 8mA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 1000V (1kV) |
| 供应商设备封装 | ISOPLUS264™ |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 280 mOhm @ 19A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 380W |
| 标准包装 | 25 |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 13500pF @ 25V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 250nC @ 10V |
| 封装/外壳 | ISOPLUS264™ |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 类别 | Power MOSFET |
| 配置 | Single |
| 外形尺寸 | 20.29 x 5.21 x 26.42mm |
| 身高 | 26.42mm |
| 长度 | 20.29mm |
| 最大连续漏极电流 | 29 A |
| 最大漏源电阻 | 0.28 Ω |
| 最大漏源电压 | 1000 V |
| 最大门源电压 | ±30 V |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 最大功率耗散 | 380 W |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 包装类型 | ISOPLUS-264 |
| 典型栅极电荷@ VGS | 250 nC V @ 10 |
| 典型输入电容@ VDS | 13500 pF V @ 25 |
| 典型关闭延迟时间 | 57 ns |
| 典型导通延迟时间 | 25 ns |
| 宽度 | 5.21mm |
| 工厂包装数量 | 25 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 连续漏极电流 | 22 A |
| 封装/外壳 | ISOPLUS 264 |
| 下降时间 | 15 ns |
| 产品种类 | MOSFET |
| 单位重量 | 0.373904 oz |
| 商品名 | HiPerFET |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 源极击穿电压 | +/- 30 V |
| 系列 | IXFL38N100 |
| RDS（ON） | 280 mOhms |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 功率耗散 | 380 W |
| 上升时间 | 28 ns |
| 漏源击穿电压 | 1000 V |
| 漏极电流（最大值） | 29 A |
| 频率（最大） | Not Required MHz |
| 栅源电压（最大值） | �30 V |
| 输出功率（最大） | Not Required W |
| 噪声系数 | Not Required dB |
| 漏源导通电阻 | 0.28 ohm |
| 工作温度范围 | -55C to 150C |
| 极性 | N |
| 类型 | Power MOSFET |
| 元件数 | 1 |
| 工作温度分类 | Military |
| 漏极效率 | Not Required % |
| 漏源导通电压 | 1000 V |
| 功率增益 | Not Required dB |
| 弧度硬化 | No |
| 删除 | Compliant |
| 漏源极电压 (Vdss) | 1000V (1kV) |
| 系列 | HiPerFET™ |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 13500pF @ 25V |
| 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值） | 280 mOhm @ 19A, 10V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 250nC @ 10V |
| FET 功能 | Standard |
| FET 类型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 5.5V @ 8mA |
| 封装/外壳 | ISOPLUS264™ |
| 功率 - 最大值 | 380W |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 1000 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 30 V |
| 品牌 | IXYS |
| 通道数 | 1 Channel |
| 晶体管类型 | 1 N-Channel |
| Id - Continuous Drain Current | 22 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 280 mOhms |
| Pd - Power Dissipation | 380 W |
| 技术 | Si |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
|
咨询QQ
热线电话
