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厂商型号

IXFK74N50P2 

产品描述

MOSFET PolarP2 Power MOSFET

内部编号

184-IXFK74N50P2

生产厂商

IXYS

ixys

#1

数量:0
最小起订量:1
美国加州
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IXFK74N50P2产品详细规格

规格书 IXFK74N50P2 datasheet 规格书
IXFK/FX74N50P2
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 25
FET 型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点 Standard
漏极至源极电压(VDSS) 500V
电流-连续漏极(编号)@ 25°C 74A
Rds(最大)@ ID,VGS 77 mOhm @ 500mA, 10V
VGS(TH)(最大)@ Id 5V @ 4mA
栅极电荷(Qg)@ VGS 165nC @ 10V
输入电容(Ciss)@ Vds的 9900pF @ 25V
功率 - 最大 1400W
安装类型 Through Hole
包/盒 TO-264-3, TO-264AA
供应商器件封装 TO-264
包装材料 Tube
最大门源电压 ±30
欧盟RoHS指令 Compliant
最高工作温度 150
包装宽度 5.13(Max)
通道模式 Enhancement
最低工作温度 -55
包装高度 26.16(Max)
安装 Through Hole
最大功率耗散 1400000
渠道类型 N
最大漏源电阻 77@10V
最大漏源电压 500
每个芯片的元件数 1
标签 Tab
供应商封装形式 TO-264
包装长度 19.96(Max)
PCB 3
最大连续漏极电流 74
引脚数 3
FET特点 Standard
封装 Tube
安装类型 Through Hole
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C 74A (Tc)
的Vgs(th ) (最大)@ Id 5V @ 4mA
漏极至源极电压(Vdss) 500V
标准包装 25
供应商设备封装 TO-264
开态Rds(最大)@ Id ,V GS 77 mOhm @ 500mA, 10V
FET型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大 1400W
封装/外壳 TO-264-3, TO-264AA
输入电容(Ciss ) @ VDS 9900pF @ 25V
闸电荷(Qg ) @ VGS 165nC @ 10V
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
工厂包装数量 25
安装风格 Through Hole
晶体管极性 N-Channel
最低工作温度 - 55 C
源极击穿电压 +/- 30 V
连续漏极电流 74 A
系列 IXFK74N50
单位重量 0.352740 oz
RDS(ON) 77 mOhms
功率耗散 1400 W
商品名 Polar2 HiPerFET
配置 Single
最高工作温度 + 150 C
漏源击穿电压 500 V
RoHS RoHS Compliant

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