IXYS
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| FET特点 | Standard |
| 封装 | Tube |
| 安装类型 | Through Hole |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 6A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 4.5V @ 2.5mA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 900V |
| 标准包装 | 30 |
| 供应商设备封装 | TO-247AD |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 2 Ohm @ 3A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 180W |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 2600pF @ 25V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 130nC @ 10V |
| 系列 | IXFH6N90 |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 工厂包装数量 | 30 |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 900 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 商品名 | HyperFET |
| 品牌 | IXYS |
| Id - Continuous Drain Current | 6 A |
| 安装风格 | Through Hole |
| 通道数 | 1 Channel |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 1.8 Ohms |
| 晶体管类型 | 1 N-Channel |
| 技术 | Si |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
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