1. IXDP35N60B
  2. IXDP35N60B

图片仅供参考,产品以实物为准

厂商型号

IXDP35N60B 

产品描述

IGBT Transistors 35 Amps 600V

内部编号

184-IXDP35N60B

生产厂商

IXYS

ixys

#1

数量:50
1+¥40.4792
10+¥34.1201
100+¥28.7867
500+¥26.667
1000+¥23.2482
2500+¥22.3593
最小起订量:1
美国加州
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IXDP35N60B产品详细规格

规格书 IXDP35N60B datasheet 规格书
IXD(H,P)35N60B(D1)
IXDP35N60B datasheet 规格书
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 50
IGBT 型 NPT
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 600V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 35A
- 集电极电流(Ic)(最大) 60A
功率 - 最大 250W
Input 型 Standard
安装类型 Through Hole
包/盒 TO-220-3
供应商器件封装 TO-220AB
包装材料 Tube
供应商封装形式 TO-220AB
最大栅极发射极电压 ±20
最大连续集电极电流 60
欧盟RoHS指令 Compliant
最高工作温度 150
包装宽度 4.82(Max)
标准包装名称 TO-220
包装高度 9.15(Max)
安装 Through Hole
最大功率耗散 250000
渠道类型 N
最大集电极发射极电压 600
标签 Tab
PCB 3
包装长度 10.66(Max)
最低工作温度 -55
引脚数 3
铅形状 Through Hole
栅极电荷 120nC
电流 - 集电极( Ic)(最大) 60A
安装类型 Through Hole
标准包装 50
Vce(开) (最大值) Vge,Ic时 2.7V @ 15V, 35A
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 600V
供应商设备封装 TO-220AB
封装 Tube
功率 - 最大 250W
输入类型 Standard
封装/外壳 TO-220-3
IGBT类型 NPT
电流 - 集电极脉冲( ICM ) 70A
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
工厂包装数量 50
集电极 - 发射极饱和电压 2.1 V
连续集电极电流Ic最大 60 A
系列 IXDP35N60B
单位重量 0.081130 oz
集电极 - 发射极最大电压VCEO 600 V
安装风格 Through Hole
最大栅极发射极电压 +/- 20 V
最低工作温度 - 55 C
配置 Single
最高工作温度 + 150 C
RoHS RoHS Compliant
品牌 IXYS
身高 9.15 mm
宽度 4.82 mm
长度 10.66 mm
技术 Si
连续集电极电流 60 A

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    15810325240
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    0512-67483580
    0512-67684200
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