IXYS
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 栅极电荷 | 103nC |
| 电流 - 集电极（ Ic）（最大） | 55A |
| 安装类型 | Through Hole |
| 标准包装 | 30 |
| Vce（开） （最大值） Vge，Ic时 | 3.3V @ 15V, 25A |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 2500V |
| 供应商设备封装 | * |
| 反向恢复时间（trr ） | 1.6µs |
| 封装 | Tube |
| 功率 - 最大 | 300W |
| 输入类型 | Standard |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 电流 - 集电极脉冲（ ICM ） | 180A |
| 栅极 - 射极漏泄电流 | +/- 100 nA |
| 集电极 - 发射极饱和电压 | 3.3 V |
| 商品名 | BIMOSFET |
| 工厂包装数量 | 30 |
| 连续集电极电流Ic最大 | 55 A |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 品牌 | IXYS |
| 连续集电极电流在25 C | 55 A |
| 集电极 - 发射极最大电压VCEO | 2.5 kV |
| 身高 | 21.34 mm |
| 安装风格 | Through Hole |
| 宽度 | 5.21 mm |
| 长度 | 16.13 mm |
| 最大栅极发射极电压 | +/- 20 V |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| Pd - Power Dissipation | 300 W |
| 配置 | Single |
| 技术 | Si |
| RoHS | RoHS Compliant |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
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