1. IXBT16N170A
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图片仅供参考,产品以实物为准

厂商型号

IXBT16N170A 

产品描述

IGBT Transistors 1700V 16A

内部编号

184-IXBT16N170A

生产厂商

IXYS

ixys

#1

数量:50
1+¥87.4542
10+¥73.3685
100+¥69.1291
250+¥63.0436
500+¥58.941
1000+¥54.0862
最小起订量:1
美国加州
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#2

数量:30
1+¥100.584
10+¥91.4337
25+¥84.5772
100+¥77.7186
250+¥70.8611
500+¥66.2895
最小起订量:1
美国费城
当天发货,5-8个工作日送达.
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IXBT16N170A产品详细规格

规格书 IXBT16N170A datasheet 规格书
IXB(H,T)16N170A
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 30
IGBT 型 -
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 1700V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 6V @ 15V, 10A
- 集电极电流(Ic)(最大) 16A
功率 - 最大 150W
Input 型 Standard
安装类型 Surface Mount
包/盒 TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
供应商器件封装 TO-268
包装材料 Bulk
供应商封装形式 TO-268
最大栅极发射极电压 ±20
最大连续集电极电流 16
欧盟RoHS指令 Compliant
最高工作温度 150
包装宽度 14(Max)
标准包装名称 TO-268-AA
包装高度 5.1(Max)
安装 Surface Mount
最大功率耗散 190000
渠道类型 N
最大集电极发射极电压 1700
标签 Tab
PCB 2
包装长度 16.05(Max)
最低工作温度 -55
引脚数 3
铅形状 Gull-wing
栅极电荷 65nC
电流 - 集电极( Ic)(最大) 16A
安装类型 Surface Mount
开关能量 2mJ (on), 2.6mJ (off)
标准包装 30
时间Td(开/关) @ 25°C 15ns/220ns
Vce(开) (最大值) Vge,Ic时 6V @ 15V, 10A
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 1700V
供应商设备封装 TO-268
反向恢复时间(trr ) 360ns
封装 Bulk
功率 - 最大 150W
输入类型 Standard
封装/外壳 TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
其他名称 Q2441898
电流 - 集电极脉冲( ICM ) 40A
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
工厂包装数量 30
产品种类 IGBT Transistors
连续集电极电流Ic最大 16 A
单位重量 0.158733 oz
集电极 - 发射极最大电压VCEO 1700 V
安装风格 SMD/SMT
功率耗散 150 W
最大栅极发射极电压 20 V
最低工作温度 - 55 C
配置 Single
最高工作温度 + 150 C
RoHS RoHS Compliant
系列 IXBT16N170
技术 Si
品牌 IXYS
Pd - Power Dissipation 150 W
身高 5.1 mm
宽度 14 mm
长度 16.05 mm
商品名 BIMOSFET

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