1. CPC5603C
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图片仅供参考,产品以实物为准

厂商型号

CPC5603C 

产品描述

MOSFET N Channel Depletion Mode FET

内部编号

184-CPC5603C

生产厂商

IXYS

ixys

#1

数量:33
1+¥6.9061
10+¥5.3471
100+¥3.4599
200+¥3.4599
1000+¥2.5163
2400+¥2.1265
10000+¥2.0445
25000+¥1.9693
最小起订量:1
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CPC5603C产品详细规格

规格书 CPC5603C datasheet 规格书
CPC5603
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 80
FET 型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点 Depletion Mode
漏极至源极电压(VDSS) 415V
电流-连续漏极(编号)@ 25°C 5mA
Rds(最大)@ ID,VGS 14 Ohm @ 50mA, 350mV
VGS(TH)(最大)@ Id -
栅极电荷(Qg)@ VGS -
输入电容(Ciss)@ Vds的 300pF @ 0V
功率 - 最大 2.5W
安装类型 Surface Mount
包/盒 TO-261-4, TO-261AA
供应商器件封装 SOT-223
包装材料 Tube
安装 Surface Mount
包装宽度 3.5
PCB 3
最大功率耗散 2500
最大漏源电压 415
欧盟RoHS指令 Compliant
最大漏源电阻 14000@0.35V
每个芯片的元件数 1
最低工作温度 -40
供应商封装形式 SOT-223
标准包装名称 SOT-223
最高工作温度 85
渠道类型 N
包装长度 6.5
引脚数 4
通道模式 Depletion
包装高度 1.68
最大连续漏极电流 0.005
封装 Tube
标签 Tab
铅形状 Gull-wing
FET特点 Depletion Mode
安装类型 Surface Mount
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C 5mA (Ta)
封装/外壳 TO-261-4, TO-261AA
供应商设备封装 SOT-223
其他名称 CLA220
开态Rds(最大)@ Id ,V GS 14 Ohm @ 50mA, 350mV
FET型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大 2.5W
标准包装 200
漏极至源极电压(Vdss) 415V
输入电容(Ciss ) @ VDS 300pF @ 0V
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
系列 CPC5603
工厂包装数量 80
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 415 V
晶体管类型 1 N-Channel
商品名 Clare
品牌 IXYS Integrated Circuits
Id - Continuous Drain Current 5 mA
安装风格 SMD/SMT
通道数 1 Channel
Rds On - Drain-Source Resistance 14 Ohms
晶体管极性 N-Channel
技术 Si
RoHS RoHS Compliant

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