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图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
 IS61NLF/NVF25636A, IS61NLF/NVF51218A |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 72 |
| 格式 - 记忆 | RAM |
| Memory 型 | SRAM - Synchronous |
| 内存大小 | 9M (256K x 36) |
| 速度 | 117MHz |
| 接口 | Parallel (Byte-wide) |
| - 电源电压 | 3.135 V ~ 3.465 V |
| 操作温度 | -40°C ~ 85°C |
| 包/盒 | 100-LQFP |
| 供应商器件封装 | 100-TQFP (14x20) |
| 包装材料 | Tray |
| 安装 | Surface Mount |
| 定时类型 | Synchronous |
| 包装宽度 | 14.1(Max) |
| PCB | 100 |
| 筛选等级 | Industrial |
| 地址总线宽度 | 18 |
| 典型工作电源电压 | 3.3 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 密度 | 9M |
| 最低工作温度 | -40 |
| 供应商封装形式 | TQFP |
| 标准包装名称 | QFP |
| 最高工作温度 | 85 |
| 最大时钟频率 | 117 |
| 每字位数 | 36 |
| 端口数 | 4 |
| 包装长度 | 20.1(Max) |
| 最低工作电源电压 | 3.135 |
| 引脚数 | 100 |
| 最大工作电流 | 280 |
| 包装高度 | 1.45(Max) |
| 数据速率架构 | SDR |
| Maximum Access Time | 7.5 |
| 最大工作电源电压 | 3.465 |
| 字数 | 256K |
| 铅形状 | Gull-wing |
| 封装 | Tray |
| 格式 - 存储器 | RAM |
| 标准包装 | 72 |
| 供应商设备封装 | 100-TQFP (14x20) |
| 内存类型 | SRAM - Synchronous |
| 工作温度 | -40°C ~ 85°C |
| 存储容量 | 9M (256K x 36) |
| 电压 - 电源 | 3.135 V ~ 3.465 V |
| 封装/外壳 | 100-LQFP |
| 接口 | Parallel |
| 速度 | 117MHz |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 组织 | 256 k x 36 |
| 工厂包装数量 | 72 |
| 产品种类 | SRAM |
| 最大工作电流 | 280 mA |
| 系列 | IS61NLF25636A |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 电源电压 - 最大 | 3.465 V |
| 访问时间 | 7.5 ns |
| 最低工作温度 | - 40 C |
| 最大时钟频率 | 117 MHz |
| 电源电压 - 最小 | 3.135 V |
| 最高工作温度 | + 85 C |
| 类型 | Synchronous |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 地址总线 | 18 b |
| 工作温度范围 | -40C to 85C |
| 包装类型 | TQFP |
| 密度 | 9437184 Bit |
| 字长 | 36 b |
| 同步/异步 | Synchronous |
| 工作温度分类 | Industrial |
| 时钟频率 | 117 MHz |
| 建筑 | SDR |
| 弧度硬化 | No |
| 工作电源电压（典型值） | 3.3 V |
| 工作电源电压（最小值） | 3.135 V |
| 工作电源电压（最大值） | 3.465 V |
| 电源电流 | 280mA |
| 电源电流 - 最大 | 280 mA |
| 品牌 | ISSI |
| 数据传输速率 | SDR |
| 接口类型 | Parallel |
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