IS62WV12816BLL-55TI-TR

产品描述

SRAM 2Mb 128Kx16 55ns Async SRAM

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规格书	IS62WV12816(A,B)LL
Rohs	Contains lead / RoHS non-compliant
标准包装	1,000
格式 - 记忆	RAM
Memory 型	SRAM - Asynchronous
内存大小	2M (128K x 16)
速度	55ns
接口	Parallel (Byte-wide)
- 电源电压	2.5 V ~ 3.6 V
操作温度	-40°C ~ 85°C
包/盒	44-TSOP (0.400, 10.16mm Width)
供应商器件封装	44-TSOP II
包装材料	Tape & Reel (TR)
安装	Surface Mount
定时类型	Asynchronous
包装宽度	10.29(Max)
PCB	44
筛选等级	Industrial
地址总线宽度	17
典型工作电源电压	3.3
密度	2M
最低工作温度	-40
供应商封装形式	TSOP-II
标准包装名称	TSOP
最高工作温度	85
每字位数	16
端口数	1
包装长度	18.52(Max)
最低工作电源电压	2.5
引脚数	44
最大工作电流	3
包装高度	1.05(Max)
Maximum Access Time	55
封装	Tape and Reel
最大工作电源电压	3.6
字数	128K
铅形状	Gull-wing
格式 - 存储器	RAM
标准包装	1,000
供应商设备封装	44-TSOP II
内存类型	SRAM - Asynchronous
工作温度	-40°C ~ 85°C
存储容量	2M (128K x 16)
电压 - 电源	2.5 V ~ 3.6 V
封装/外壳	44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
接口	Parallel
速度	55ns
RoHS指令	Contains lead / RoHS non-compliant
最大工作电流	3 mA
产品种类	SRAM
工厂包装数量	1000
系列	IS62WV12816BLL
安装风格	SMD/SMT
电源电压 - 最大	3.6 V
访问时间	55 ns
最低工作温度	- 40 C
组织	128 k x 16
电源电压 - 最小	2.5 V
最高工作温度	+ 85 C
类型	Asynchronous
RoHS	No
电源电流 - 最大	3 mA
品牌	ISSI
接口类型	Parallel
数据传输速率	SDR

型号	厂家	产品描述
IS62WV12816BLL-55TI	ISSI	SRAM 2Mb 128Kx16 55ns Async SRAM
IS62WV12816BLL-55B2LI	ISSI	SRAM 2Mb 128Kx16 55ns Async SRAM
IS62WV12816BLL-55B2LI-TR	ISSI	SRAM 2Mb 128Kx16 55ns Async SRAM
IS62WV12816BLL-55BI	ISSI	SRAM 2Mb 128Kx16 55ns Async SRAM
IS62WV12816BLL-55BI-TR	ISSI	SRAM 2Mb 128Kx16 55ns Async SRAM
IS62WV12816BLL-55BLI	ISSI	SRAM 2Mb 128Kx16 55ns Async SRAM
IS62WV12816BLL-55BLI-TR	ISSI	SRAM 2Mb 128Kx16 55ns Async SRAM
IS62WV12816BLL-55T	ISSI	SRAM 2Mb 128Kx16 55ns Async SRAM
IS62WV12816BLL-55T-TR	ISSI	SRAM 2Mb 128Kx16 55ns Async SRAM
IS62WV12816BLL-55TLI	integrated silicon solutions	SRAM Chip Async Single 3.3V 2M-Bit 128K x 16 55ns 44-Pin TSOP-II
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IS62WV12816BLL-45TLI-TR	ISSI	SRAM 2Mb 128K x 16 45ns Async SRAM
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