integrated silicon solutions
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 包装 | 66TSOP-II |
| 类型 | DDR SDRAM |
| 密度 | 512 Mb |
| 地址总线宽度 | 15 Bit |
| 工作电源电压 | 2.5 V |
| 最大时钟频率 | 200 MHz |
| 最大随机存取时间 | 0.7 ns |
| 工作温度 | 0 to 70 °C |
| 安装 | Surface Mount |
| Package Width | 10.29(Max) |
| 组织 | 32Mx16 |
| PCB | 66 |
| 筛选等级 | Commercial |
| 地址总线宽度 | 15 |
| 典型工作电源电压 | 2.5 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 密度 | 512M |
| 内部银行的数量 | 4 |
| 最低工作温度 | 0 |
| 供应商封装形式 | TSOP-II |
| 标准包装名称 | TSOP |
| 最高工作温度 | 70 |
| 最大时钟频率 | 200 |
| 数据总线宽度 | 16 |
| Package Length | 22.42(Max) |
| Minimum Operating Supply Voltage | 2.4 |
| 引脚数 | 66 |
| Maximum Operating Current | 430 |
| Package Height | 1.05(Max) |
| 最大随机存取时间 | 0.7 |
| 每行字数 | 8M |
| 最大工作电源电压 | 2.6 |
| 铅形状 | Gull-wing |
| 封装 | Tray |
| 系列 | IS43R16320D |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 工厂包装数量 | 108 |
| 格式 - 存储器 | RAM |
| 标准包装 | 108 |
| 供应商设备封装 | 66-TSOP II |
| 内存类型 | DDR SDRAM |
| 存储容量 | 512M (32M x 16) |
| 电压 - 电源 | 2.5 V ~ 2.7 V |
| 封装/外壳 | 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) |
| 接口 | Parallel |
| 速度 | 200MHz |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 数据总线宽度 | 16 bit |
| 最高工作温度 | + 70 C |
| 品牌 | ISSI |
| 电源电流 - 最大 | 430 mA |
| 电源电压 - 最大 | 2.7 V |
| 最低工作温度 | 0 C |
| 最大时钟频率 | 200 MHz |
| 电源电压 - 最小 | 2.3 V |
| 访问时间 | 5 ns |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
|
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