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#1 |
数量:540 |
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| 规格书 |
 IS42S16800E, 81600E |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 108 |
| 格式 - 记忆 | RAM |
| Memory 型 | SDRAM |
| 内存大小 | 128M (16M x 8) |
| 速度 | 143MHz |
| 接口 | Parallel (Byte-wide) |
| - 电源电压 | 3 V ~ 3.6 V |
| 操作温度 | -40°C ~ 85°C |
| 包/盒 | 54-TSOP (0.400, 10.16mm Width) |
| 供应商器件封装 | 54-TSOP II |
| 包装材料 | Tray |
| 安装 | Surface Mount |
| 包装宽度 | 10.29(Max) |
| 组织 | 16Mx8 |
| PCB | 54 |
| 筛选等级 | Industrial |
| 地址总线宽度 | 14 |
| 类型 | SDRAM |
| 典型工作电源电压 | 3.3 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 密度 | 128M |
| 内部银行的数量 | 4 |
| 最低工作温度 | -40 |
| 供应商封装形式 | TSOP-II |
| 标准包装名称 | TSOP |
| 最高工作温度 | 85 |
| 最大时钟频率 | 143 |
| 数据总线宽度 | 8 |
| 包装长度 | 22.42(Max) |
| 最低工作电源电压 | 3 |
| 引脚数 | 54 |
| 最大工作电流 | 130 |
| 包装高度 | 1.05(Max) |
| 最大随机存取时间 | 6.5|5.4 |
| 每行字数 | 4M |
| 最大工作电源电压 | 3.6 |
| 铅形状 | Gull-wing |
| 封装 | Tray |
| 格式 - 存储器 | RAM |
| 标准包装 | 108 |
| 供应商设备封装 | 54-TSOP II |
| 内存类型 | SDRAM |
| 工作温度 | -40°C ~ 85°C |
| 存储容量 | 128M (16M x 8) |
| 电压 - 电源 | 3 V ~ 3.6 V |
| 封装/外壳 | 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) |
| 接口 | Parallel |
| 速度 | 143MHz |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 最大工作电流 | 130 mA |
| 产品种类 | DRAM |
| 数据总线宽度 | 16 bit |
| 工厂包装数量 | 108 |
| 系列 | IS42S81600E |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 电源电压 - 最大 | 3.6 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 最低工作温度 | - 40 C |
| 最大时钟频率 | 143 MHz |
| 电源电压 - 最小 | 3 V |
| 最高工作温度 | + 85 C |
| 访问时间 | 6.5 ns, 5.4 ns |
| 访问时间（最大） | 6.5/5.4 ns |
| 地址总线 | 14 b |
| 工作温度范围 | -40C to 85C |
| 包装类型 | TSOP-II |
| 密度 | 134217728 Bit |
| 工作温度分类 | Industrial |
| 最大时钟频率 | 143 MHz |
| 电源电流 | 130 mA |
| 弧度硬化 | No |
| 工作电源电压（典型值） | 3.3 V |
| 工作电源电压（最小值） | 3 V |
| 工作电源电压（最大值） | 3.6 V |
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