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厂商型号:

TISP8211MDR-S

芯天下内部编号:
18-TISP8211MDR-S
生产厂商:

bourns

microsemi
描述:
T
客户编号:
规格书:

所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。

产品参数

Type Description
包装 8SOIC
类型 TSPD
重复峰值反向电压 120 V
最大保持电流 150(Min) mA
浪涌额定电流 11 A
重复峰值断态电流 0.005 mA
最大门极触发电流 5 mA
工作温度 -55 to 150 °C
安装 Surface Mount
标准包装 Tape & Reel
供应商封装形式 SOIC N
标准包装名称 SOIC
Maximum Breakover Voltage 82
重复峰值反向电压 120
最高工作温度 150
最大保持电流 150(Min)
重复峰值断态电流 0.005
浪涌额定电流 11
Repetitive Peak Forward Blocking Voltage 120
封装 Tape and Reel
欧盟RoHS指令 Compliant
最低工作温度 -55
引脚数 8
铅形状 Gull-wing
供应商设备封装 8-SOIC
应用范围 SLIC
技术 Mixed Technology
封装/外壳 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
电路数 1
其他名称 TISP8211MDR-STR
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
工厂包装数量 2500
产品种类 SCRs
额定重复关闭状态电压VDRM 120 V
门极触发电流 - 5 mA
最大栅极峰值反向电压 - 120 V
关断状态电容CO 30 pF
安装风格 SMD/SMT
不重复通态电流 11 A
转折电压VBO 82 V
最低工作温度 - 55 C
关闭状态漏泄电流@ VDRM IDRM 0.005 mA
最高工作温度 + 150 C
RoHS RoHS Compliant
门极触发电流(最大) 5 mA
工作温度范围 -55C to 150C
包装类型 SOIC
浪涌峰值通态电流(最大) 11 A
重复峰值断电流 0.005
重复峰值断态电压 120 V
断态电压 120 V
工作温度分类 Military
保持电流 150 mA
弧度硬化 No
电路数量 1
技术 Mixed Technology
封装/外壳 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
应用 SLIC
品牌 Bourns
商品名 TISP
最大转折电流IBO 11 A
保持电流Ih最大值 20 mA
长度 5 mm (Max)
系列 TISP821xMD
身高 1.55 mm (Max)
门极触发电流 - IGT为150mA - 5 mA

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