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所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 包装 | 3TO-220 |
| 类型 | NPN |
| 引脚数 | 3 |
| 最大集电极发射极电压 | 100 V |
| 集电极最大直流电流 | 3 A |
| 最小直流电流增益 | 25@1A@4V|10@3A@4V |
| 最大集电极发射极饱和电压 | 1.2@0.375A@3A V |
| 最大集电极基极电压 | 140 V |
| 工作温度 | -65 to 150 °C |
| 最大功率耗散 | 40000 mW |
| 安装 | Through Hole |
| 集电极最大直流电流 | 3 |
| 最低工作温度 | -65 |
| 包装宽度 | 4.7(Max) |
| PCB | 3 |
| 最大功率耗散 | 40000 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 最大集电极基极电压 | 140 |
| 最大集电极发射极电压 | 100 |
| 供应商封装形式 | TO-220 |
| 标准包装名称 | TO-220 |
| 最高工作温度 | 150 |
| 包装长度 | 10.4(Max) |
| 包装高度 | 8.72(Max) |
| 最大基地发射极电压 | 5 |
| 标签 | Tab |
| 铅形状 | Through Hole |
| 电流 - 集电极（ Ic）（最大） | 3A |
| 晶体管类型 | NPN |
| 安装类型 | Through Hole |
| 下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件 | 1.2V @ 375mA, 3A |
| 电流 - 集电极截止（最大） | 300µA |
| 标准包装 | 15,000 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 100V |
| 供应商设备封装 | TO-220 |
| 封装 | Tube |
| 功率 - 最大 | 40W |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时 | 10 @ 3A, 4V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 集电极电流（DC ） | 3 A |
| 集电极 - 基极电压 | 140 V |
| 集电极 - 发射极电压 | 100 V |
| 发射极 - 基极电压 | 5 V |
| 功率耗散 | 40 W |
| 工作温度范围 | -65C to 150C |
| 包装类型 | TO-220 |
| 元件数 | 1 |
| 直流电流增益 | 25 |
| 工作温度分类 | Military |
| 弧度硬化 | No |
| 晶体管极性 | NPN |
| 不同 Ib、Ic 时的 Vce 饱和值（最大值） | 1.2V @ 375mA, 3A |
| 晶体管类型 | NPN |
| 电流 - 集电极截止（最大值） | 300µA |
| 不同 Ic、Vce 时的 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 10 @ 3A, 4V |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 功率 - 最大值 | 40W |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 3A |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 100V |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
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