规格书 |
HIP2101 |
标准包装 | 250 |
配置 | Half Bridge |
输入 型 | PWM |
延迟时间 | 25ns |
当前 - Peak | 2A |
Number of 配置 s | 1 |
Number of 输出功率 s | 2 |
High Side 电压 - 最大 (Bootstrap) | 100V |
- 电源电压 | 9 V ~ 14 V |
操作温度 | -40°C ~ 125°C |
安装类型 | Surface Mount |
包/盒 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm 宽度 ) |
供应商器件封装 | 8-SOIC |
包装材料 | Tape & Reel (TR) |
动态目录 | Half Bridge###/catalog/en/partgroup/half-bridge/17504?mpart=HIP2101IBZT7A&vendor=20&WT.z_ref_page_type=Part%20Search&WT.z_ref_page_sub_type=Part%20Detail%20Page&WT.z_ref_page_id=0;;其他的名称; |
单位包 | 250 |
最小起订量 | 250 |
输出数 | 2 |
安装类型 | Surface Mount |
配置数 | 1 |
供应商设备封装 | 8-SOIC |
电流 - 峰值 | 2A |
封装 | Tape & Reel (TR) |
工作温度 | -40°C ~ 125°C |
电压 - 电源 | 9 V ~ 14 V |
输入类型 | PWM |
标准包装 | 250 |
高端电压 - 最大值(自启动) | 100V |
封装/外壳 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
配置 | Half Bridge |
其他名称 | HIP2101IBZT7ATR |
延迟时间 | 25ns |
RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
安装风格 | SMD/SMT |
产品 | MOSFET Gate Drivers |
最大功率耗散 | 1.3 W |
下降时间 | 10 ns |
类型 | High Frequency Half Bridge Driver |
驱动器数 | 1 |
关闭时间 - 最大 | 10 ns |
最大开启延迟时间 | 56 ns |
电源电压 - 最大 | 14 VDC |
RoHS | RoHS Compliant |
最低工作温度 | - 55 C |
输出电压 | 0.4 V |
电源电流 | 3.4 mA |
电源电压 - 最小 | 9 VDC |
上升时间 | 10 ns |
最高工作温度 | + 150 C |
最大关闭延迟时间 | 56 ns |
工作电源电流 | 3.4 mA |
工作电源电压 | 9 VDC to 14 VDC |
品牌 | Intersil |
系列 | HIP2101 |
Pd - Power Dissipation | 1.3 W |
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