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厂商型号:

IRS21851SPBF

芯天下内部编号:
176-IRS21851SPBF
生产厂商:

international rectifier

microsemi
描述:
M
客户编号:
规格书:

所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。

产品参数

Type Description
包装 8SOIC
驱动器类型 High Side
驱动程序配置 Non-Inverting
输出数 1
最大工作电源电压 20 V
最低工作电源电压 10 V
峰值输出电流 4(Typ) A
最大功率耗散 1250 mW
输入逻辑相容性 CMOS|LSTTL|3.3V(Min)|5V
最大上升时间 40 ns
最大电源电流 0.24 mA
工作温度 -40 to 125 °C
安装 Surface Mount
标准包装 Rail / Tube
Package Width 4(Max)
PCB 8
最大功率耗散 1250
欧盟RoHS指令 Compliant
Maximum Fall Time 40
最低工作温度 -40
峰值输出电流 4(Typ)
供应商封装形式 SOIC
标准包装名称 SOIC
最高工作温度 125
Package Length 5(Max)
最低工作电源电压 10
引脚数 8
最大传播延迟时间 210
Package Height 1.5(Max)
驱动器数 1
封装 Tube
最大工作电源电压 20
最大上升时间 40
铅形状 Gull-wing
安装类型 Surface Mount
配置数 1
供应商设备封装 8-SOIC
电压 - 电源 10 V ~ 20 V
输入类型 Non-Inverting
高端电压 - 最大值(自启动) 600V
封装/外壳 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
配置 High-Side
电流 - 峰值 4A
延迟时间 160ns
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
外形尺寸 5 x 4 x 1.5mm
身高 1.5mm
长度 5mm
最高工作温度 +125 °C
最低工作温度 -40 °C
包装类型 SOIC
宽度 4mm
工厂包装数量 95
产品 MOSFET Gate Drivers
上升时间 40 ns
输出电流 4 A
类型 High Side
安装风格 SMD/SMT
电源电压 - 最大 20 V
RoHS RoHS Compliant
电源电流 0.24 mA
电源电压 - 最小 10 V
下降时间 40 ns
输入逻辑电平 CMOS/LSTTL
功率耗散 1.25 W
工作温度范围 -40C to 125C
传播延迟时间 210 ns
工作温度分类 Automotive
弧度硬化 No
工作电源电压(最小值) 10 V
工作电源电压(最大值) 20 V
设备类型 :High Side
Module Configuration :High Side
Supply Voltage Min :10V
Supply Voltage Max :20V
Driver Case Style :SOIC
No. of Pins :8
Input Delay :160ns
Weight (kg) 0.002
Tariff No. 85411000
DriverType MOSFET/IGBT
案例 SO8
Number of outputs 1
Multiplicity 1
Integrated circuit type driver
Gross weight 0.05 g
Operating temperature -40...125°C
输出电压 620V
电源电压 10...20V DC
spg 100
Collective package [pcs] 100
技术 MOSFET

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