international rectifier
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 包装 | 3D2PAK |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 100 V |
| 最大连续漏极电流 | 17 A |
| RDS -于 | 100@10V mOhm |
| 最大门源电压 | ±20 V |
| 典型导通延迟时间 | 7.2 ns |
| 典型上升时间 | 53 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 30 ns |
| 典型下降时间 | 26 ns |
| 工作温度 | -55 to 175 °C |
| 安装 | Surface Mount |
| 标准包装 | Tape & Reel |
| 最大门源电压 | ±20 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 175 |
| 标准包装名称 | D2PAK |
| 最低工作温度 | -55 |
| 渠道类型 | N |
| 封装 | Tape and Reel |
| Maximum Drain Source Resistance | 100@10V |
| 最大漏源电压 | 100 |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 供应商封装形式 | D2PAK |
| 最大功率耗散 | 3800 |
| 最大连续漏极电流 | 17 |
| 引脚数 | 3 |
| 铅形状 | Gull-wing |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 17A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 2V @ 250µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 100V |
| 供应商设备封装 | D2PAK |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 100 mOhm @ 9A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 3.8W |
| 封装/外壳 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 800pF @ 25V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 34nC @ 5V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 工厂包装数量 | 800 |
| 配置 | Single |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 源极击穿电压 | 20 V |
| 连续漏极电流 | 17 A |
| 正向跨导 - 闵 | 7.7 S |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| RDS（ON） | 150 mOhms |
| 功率耗散 | 3.8 W |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 栅极电荷Qg | 22.7 nC |
| 上升时间 | 53 ns |
| 最高工作温度 | + 175 C |
| 漏源击穿电压 | 100 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 下降时间 | 26 ns |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
|
咨询QQ
热线电话
