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厂商型号:

IRGB4056DPBF

芯天下内部编号:
176-IRGB4056DPBF
生产厂商:

international rectifier

microsemi
描述:
T
客户编号:
规格书:

所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。

产品参数

Type Description
包装 3TO-220AB
配置 Single
最大集电极发射极电压 600 V
最大连续集电极电流 24 A
最大栅极发射极电压 ±20 V
安装 Through Hole
标准包装 Rail / Tube
栅极电荷 25nC
电流 - 集电极( Ic)(最大) 24A
安装类型 Through Hole
开关能量 300µJ
时间Td(开/关) @ 25°C 31ns/83ns
Vce(开) (最大值) Vge,Ic时 1.85V @ 15V, 12A
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 600V
供应商设备封装 TO-220AB
反向恢复时间(trr ) 68ns
封装 Tube
功率 - 最大 140W
输入类型 Standard
封装/外壳 TO-220-3
IGBT类型 Trench
测试条件 400V, 12A, 22 Ohm, 15V
电流 - 集电极脉冲( ICM ) 48A
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
渠道类型 N
外形尺寸 10.67 x 4.83 x 9.02mm
身高 9.02mm
长度 10.67mm
最高工作温度 +175 °C
最低工作温度 -55 °C
包装类型 TO-220AB
引脚数 3
宽度 4.83mm
工厂包装数量 50
集电极 - 发射极饱和电压 1.85 V
连续集电极电流Ic最大 24 A
连续集电极电流在25 C 24 A
集电极 - 发射极最大电压VCEO 600 V
安装风格 Through Hole
功率耗散 140 W
RoHS RoHS Compliant
集电极电流( DC)(最大值) 24 A
集电极 - 发射极电压 600 V
工作温度(最大) 175C
工作温度(最小值) -55C
工作温度分类 Military
Gate to Emitter Voltage (Max) �20 V
弧度硬化 No
集电极电流(DC ) 24 A
晶体管类型 :IGBT
DC Collector Current :24A
Collector Emitter Voltage Vces :1.55V
功耗 :140W
Collector Emitter Voltage V(br)ceo :600V
Operating Temperature Min :-55°C
Operating Temperature Max :175°C
Transistor Case Style :TO-220
No. of Pins :3
MSL :-
SVHC :No SVHC (20-Jun-2013)
Current Ic Continuous a Max :24A
工作温度范围 :-55°C to +175°C
Power Dissipation Max :140W
Pulsed Current Icm :48A
上升时间 :17ns
端接类型 :Through Hole
晶体管极性 :N Channel
Voltage Vces :600V
Weight (kg) 0.00195
Tariff No. 85412900
案例 TO220AB
Transistor type IGBT
功率 140W
Collector-emitter voltage 600V
Multiplicity 1
Collector current 24A
Gross weight 3.05 g
Collective package [pcs] 5
spg 5

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