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厂商型号:

IRGB4045DPBF

芯天下内部编号:
176-IRGB4045DPBF
生产厂商:

international rectifier

microsemi
描述:
T
客户编号:
规格书:

所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。

产品参数

Type Description
包装 3TO-220AB
配置 Single
最大集电极发射极电压 600 V
最大连续集电极电流 12 A
最大栅极发射极电压 ±20 V
安装 Through Hole
标准包装 Rail / Tube
栅极电荷 13nC
电流 - 集电极( Ic)(最大) 12A
安装类型 Through Hole
开关能量 178µJ
时间Td(开/关) @ 25°C 27ns/75ns
Vce(开) (最大值) Vge,Ic时 2V @ 15V, 6A
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 600V
供应商设备封装 TO-220AB
反向恢复时间(trr ) 74ns
封装 Tube
功率 - 最大 77W
输入类型 Standard
封装/外壳 TO-220-3
IGBT类型 Trench
测试条件 400V, 6A, 47 Ohm, 15V
电流 - 集电极脉冲( ICM ) 18A
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
渠道类型 N
外形尺寸 10.66 x 4.82 x 9.02mm
身高 9.02mm
长度 10.66mm
最高工作温度 +150 °C
最低工作温度 -55 °C
包装类型 TO-220AB
引脚数 3
宽度 4.82mm
工厂包装数量 50
集电极 - 发射极饱和电压 2 V
连续集电极电流在25 C 12 A
集电极 - 发射极最大电压VCEO 600 V
安装风格 Through Hole
功率耗散 77 W
RoHS RoHS Compliant
集电极电流( DC)(最大值) 12 A
集电极 - 发射极电压 600 V
工作温度(最大) 150C
工作温度(最小值) -55C
工作温度分类 Military
Gate to Emitter Voltage (Max) �20 V
弧度硬化 No
集电极电流(DC ) 12 A
案例 TO220AB
Transistor type IGBT
功率 77W
Collector-emitter voltage 600V
Multiplicity 1
Collector current 12A
Gross weight 2.8 g
Collective package [pcs] 10
spg 10
Collector-emitter saturation voltage 2
Current release time 17
Power dissipation 77
Housing type TO-220AB
Collector-emitter breakdown voltage 600

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