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图片仅供参考,产品以实物为准

厂商型号

IRG4PH50S-EPBF 

产品描述

Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 57A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD

内部编号

176-IRG4PH50S-EPBF

#1

数量:211
最小起订量:1
美国加州
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IRG4PH50S-EPBF产品详细规格

规格书 IRG4PH50S-EPBF datasheet 规格书
IRG4PH50S-EPBF datasheet 规格书
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 25
IGBT 型 -
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 1200V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 1.7V @ 15V, 33A
- 集电极电流(Ic)(最大) 57A
功率 - 最大 200W
Input 型 Standard
安装类型 Through Hole
包/盒 TO-247-3 (TO-247AD)
供应商器件封装 TO-247AD
包装材料 Tube
包装 3TO-247AD
配置 Single
最大集电极发射极电压 1200 V
最大连续集电极电流 57 A
最大栅极发射极电压 ±20 V
安装 Through Hole
标准包装 Rail / Tube
栅极电荷 167nC
电流 - 集电极( Ic)(最大) 57A
安装类型 Through Hole
开关能量 21.4mJ
时间Td(开/关) @ 25°C 32ns/845ns
Vce(开) (最大值) Vge,Ic时 1.7V @ 15V, 33A
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 1200V
供应商设备封装 TO-247AD
封装 Tube
功率 - 最大 200W
输入类型 Standard
封装/外壳 TO-247-3
测试条件 960V, 33A, 5 Ohm, 15V
其他名称 IRG4PH50SEPBF
电流 - 集电极脉冲( ICM ) 114A
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
工厂包装数量 25
集电极 - 发射极饱和电压 1.7 V
连续集电极电流在25 C 57 A
集电极 - 发射极最大电压VCEO 1.2 kV
安装风格 Through Hole
功率耗散 200 W
最低工作温度 - 55 C
RoHS RoHS Compliant
DC Collector Current :57A
Collector Emitter Voltage Vces :1.2kV
功耗 :200W
Operating Temperature Min :-55°C
Operating Temperature Max :155°C
No. of Pins :3
Continuous Collector Current Ic :57A
Weight (kg) 0
Tariff No. 85412900
associated 657-25ABPE

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