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厂商型号:

IRG4BC40WPBF

芯天下内部编号:
176-IRG4BC40WPBF
生产厂商:

international rectifier

microsemi
描述:
T
客户编号:
规格书:

所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。

产品参数

Type Description
包装 3TO-220AB
配置 Single
最大集电极发射极电压 600 V
最大连续集电极电流 40 A
最大栅极发射极电压 ±20 V
安装 Through Hole
标准包装 Rail / Tube
供应商封装形式 TO-220AB
最大栅极发射极电压 ±20
最大连续集电极电流 40
欧盟RoHS指令 Compliant
最高工作温度 150
标准包装名称 TO-220
渠道类型 N
最大集电极发射极电压 600
最大功率耗散 160000
最低工作温度 -55
引脚数 3
铅形状 Through Hole
栅极电荷 98nC
电流 - 集电极( Ic)(最大) 40A
安装类型 Through Hole
开关能量 340µJ
时间Td(开/关) @ 25°C 27ns/100ns
Vce(开) (最大值) Vge,Ic时 2.5V @ 15V, 20A
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 600V
供应商设备封装 TO-220AB
封装 Tube
功率 - 最大 160W
输入类型 Standard
封装/外壳 TO-220-3
测试条件 480V, 20A, 10 Ohm, 15V
其他名称 *IRG4BC40WPBF
电流 - 集电极脉冲( ICM ) 160A
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
外形尺寸 10.54 x 4.69 x 8.77mm
身高 8.77mm
长度 10.54mm
最高工作温度 +150 °C
最低工作温度 -55 °C
包装类型 TO-220AB
宽度 4.69mm
工厂包装数量 50
集电极 - 发射极饱和电压 2.5 V
连续集电极电流在25 C 40 A
集电极 - 发射极最大电压VCEO 600 V
安装风格 Through Hole
功率耗散 160 W
RoHS RoHS Compliant
集电极电流( DC)(最大值) 40 A
集电极 - 发射极电压 600 V
工作温度(最大) 150C
工作温度(最小值) -55C
工作温度分类 Military
Gate to Emitter Voltage (Max) �20 V
弧度硬化 No
集电极电流(DC ) 40 A
晶体管类型 :IGBT
DC Collector Current :40A
Collector Emitter Voltage Vces :2.5V
功耗 :160W
Collector Emitter Voltage V(br)ceo :600V
Operating Temperature Min :-55°C
Operating Temperature Max :150°C
Transistor Case Style :TO-220
No. of Pins :3
MSL :-
SVHC :No SVHC (20-Jun-2013)
Current Ic Continuous a Max :40A
Current Temperature :25°C
Fall Time Max :74ns
Fall Time tf :74ns
Full Power Rating Temperature :25°C
No. of Transistors :1
工作温度范围 :-55°C to +150°C
Power Dissipation Max :160W
Pulsed Current Icm :160A
上升时间 :22ns
端接类型 :Through Hole
晶体管极性 :N Channel
Voltage Vces :600V
Weight (kg) 0.002
Tariff No. 85412900
案例 TO220AB
Transistor type IGBT
功率 160W
Collector-emitter voltage 600V
Multiplicity 1
Collector current 40A
Gross weight 2.9 g
Collective package [pcs] 50
spg 50

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