所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 包装 | 3TO-247AC |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 200 V |
| 最大连续漏极电流 | 50 A |
| RDS -于 | 40@10V mOhm |
| 最大门源电压 | ±20 V |
| 典型导通延迟时间 | 17 ns |
| 典型上升时间 | 60 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 55 ns |
| 典型下降时间 | 48 ns |
| 工作温度 | -55 to 175 °C |
| 安装 | Through Hole |
| 标准包装 | Rail / Tube |
| 最大门源电压 | ±20 |
| Package Width | 5.31(Max) |
| PCB | 3 |
| 最大功率耗散 | 300000 |
| 最大漏源电压 | 200 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| Maximum Drain Source Resistance | 40@10V |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 最低工作温度 | -55 |
| 供应商封装形式 | TO-247AC |
| 标准包装名称 | TO-247 |
| 最高工作温度 | 175 |
| 渠道类型 | N |
| Package Length | 15.87(Max) |
| 引脚数 | 3 |
| Package Height | 20.7(Max) |
| 最大连续漏极电流 | 50 |
| 标签 | Tab |
| 铅形状 | Through Hole |
| FET特点 | Standard |
| 封装 | Tube |
| 安装类型 | Through Hole |
| 电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C | 50A (Tc) |
| 的Vgs(th ) (最大)@ Id | 4V @ 250µA |
| 漏极至源极电压(Vdss) | 200V |
| 供应商设备封装 | TO-247AC |
| 开态Rds(最大)@ Id ,V GS | 40 mOhm @ 28A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 300W |
| 输入电容(Ciss ) @ VDS | 4057pF @ 25V |
| 闸电荷(Qg ) @ VGS | 234nC @ 10V |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 工厂包装数量 | 25 |
| 配置 | Single |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 源极击穿电压 | 20 V |
| 连续漏极电流 | 50 A |
| 正向跨导 - 闵 | 27 S |
| 安装风格 | Through Hole |
| RDS(ON) | 40 mOhms |
| 功率耗散 | 300 W |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 封装/外壳 | TO-247AC-3 |
| 栅极电荷Qg | 156 nC |
| 上升时间 | 60 ns |
| 最高工作温度 | + 175 C |
| 漏源击穿电压 | 200 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 下降时间 | 48 ns |
| 栅源电压(最大值) | �20 V |
| 工作温度范围 | -55C to 175C |
| 包装类型 | TO-247AC |
| 极性 | N |
| 类型 | Power MOSFET |
| 元件数 | 1 |
| 工作温度分类 | Military |
| 漏源导通电压 | 200 V |
| 弧度硬化 | No |
| 案例 | TO247AC |
| Transistor kind | HEXFET |
| Transistor type | N-MOSFET |
| 功率 | 300W |
| Drain-source voltage | 200V |
| 极化 | unipolar |
| Drain current | 50A |
| Multiplicity | 1 |
| Gross weight | 8.48 g |
| Collective package [pcs] | 100 |
| spg | 100 |
| Closing resistance | 40 mOhm |
| Power dissipation | 300 |
| Operating temperature | -55...+175 °C |
| Housing type | TO-247-3 |
| Drain source voltage | 200 V |
| Variants | Enhancement mode |
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