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厂商型号:

IRFP260MPBF

芯天下内部编号:
176-IRFP260MPBF
生产厂商:

international rectifier

microsemi
描述:
T
客户编号:
规格书:

所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。

产品参数

Type Description
包装 3TO-247AC
通道模式 Enhancement
最大漏源电压 200 V
最大连续漏极电流 50 A
RDS -于 40@10V mOhm
最大门源电压 ±20 V
典型导通延迟时间 17 ns
典型上升时间 60 ns
典型关闭延迟时间 55 ns
典型下降时间 48 ns
工作温度 -55 to 175 °C
安装 Through Hole
标准包装 Rail / Tube
最大门源电压 ±20
Package Width 5.31(Max)
PCB 3
最大功率耗散 300000
最大漏源电压 200
欧盟RoHS指令 Compliant
Maximum Drain Source Resistance 40@10V
每个芯片的元件数 1
最低工作温度 -55
供应商封装形式 TO-247AC
标准包装名称 TO-247
最高工作温度 175
渠道类型 N
Package Length 15.87(Max)
引脚数 3
Package Height 20.7(Max)
最大连续漏极电流 50
标签 Tab
铅形状 Through Hole
FET特点 Standard
封装 Tube
安装类型 Through Hole
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C 50A (Tc)
的Vgs(th ) (最大)@ Id 4V @ 250µA
漏极至源极电压(Vdss) 200V
供应商设备封装 TO-247AC
开态Rds(最大)@ Id ,V GS 40 mOhm @ 28A, 10V
FET型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大 300W
输入电容(Ciss ) @ VDS 4057pF @ 25V
闸电荷(Qg ) @ VGS 234nC @ 10V
封装/外壳 TO-247-3
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
工厂包装数量 25
配置 Single
晶体管极性 N-Channel
源极击穿电压 20 V
连续漏极电流 50 A
正向跨导 - 闵 27 S
安装风格 Through Hole
RDS(ON) 40 mOhms
功率耗散 300 W
最低工作温度 - 55 C
封装/外壳 TO-247AC-3
栅极电荷Qg 156 nC
上升时间 60 ns
最高工作温度 + 175 C
漏源击穿电压 200 V
RoHS RoHS Compliant
下降时间 48 ns
栅源电压(最大值) �20 V
工作温度范围 -55C to 175C
包装类型 TO-247AC
极性 N
类型 Power MOSFET
元件数 1
工作温度分类 Military
漏源导通电压 200 V
弧度硬化 No
案例 TO247AC
Transistor kind HEXFET
Transistor type N-MOSFET
功率 300W
Drain-source voltage 200V
极化 unipolar
Drain current 50A
Multiplicity 1
Gross weight 8.48 g
Collective package [pcs] 100
spg 100
Closing resistance 40 mOhm
Power dissipation 300
Operating temperature -55...+175 °C
Housing type TO-247-3
Drain source voltage 200 V
Variants Enhancement mode

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