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厂商型号:

IRFH5220TR2PBF

芯天下内部编号:
176-IRFH5220TR2PBF
生产厂商:

International Rectifier

microsemi
描述:
M
客户编号:
规格书:

所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。

产品参数

Type Description
FET特点 Standard
封装 Cut Tape (CT)
安装类型 Surface Mount
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C 3.8A (Ta), 20A (Tc)
的Vgs(th ) (最大)@ Id 5V @ 100µA
漏极至源极电压(Vdss) 200V
标准包装 1
供应商设备封装 PQFN (5x6)
开态Rds(最大)@ Id ,V GS 99.9 mOhm @ 5.8A, 10V
FET型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大 3.6W
封装/外壳 8-VQFN Exposed Pad
输入电容(Ciss ) @ VDS 1380pF @ 50V
其他名称 IRFH5220TR2PBFCT
闸电荷(Qg ) @ VGS 30nC @ 10V
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
类别 Power MOSFET
通道模式 Enhancement
渠道类型 N
配置 Quad Drain, Triple Source
外形尺寸 6 x 5 x 0.85mm
身高 0.85mm
长度 6mm
最大连续漏极电流 20 A
最大漏源电阻 99.9 mΩ
最大漏源电压 200 V
最大门源电压 ±20 V
最高工作温度 +150 °C
最大功率耗散 47 W
最低工作温度 -55 °C
每个芯片的元件数 1
包装类型 PQFN
引脚数 8
典型栅极电荷@ VGS 20 nC V @ 10
典型输入电容@ VDS 1380 pF V @ 50
典型关闭延迟时间 14 ns
典型导通延迟时间 7.2 ns
宽度 5mm
工厂包装数量 400
晶体管极性 N-Channel
源极击穿电压 20 V
连续漏极电流 3.8 A
正向跨导 - 闵 16 S
安装风格 SMD/SMT
RDS(ON) 99.9 mOhms
功率耗散 3.6 W
栅极电荷Qg 20 nC
上升时间 4.7 ns
漏源击穿电压 200 V
RoHS RoHS Compliant
下降时间 3.4 ns
Continuous Drain Current Id :5.8A
Drain Source Voltage Vds :200V
On Resistance Rds(on) :0.08ohm
Rds(on) Test Voltage Vgs :10V
Threshold Voltage Vgs :5V
功耗 :3.6W
Operating Temperature Min :-55°C
Operating Temperature Max :150°C
Transistor Case Style :PQFN
No. of Pins :8
MSL :MSL 1 - Unlimited
SVHC :No SVHC (20-Jun-2013)
工作温度范围 :-55°C to +150°C
Voltage Vgs Max :20V
Weight (kg) 0.0005
Tariff No. 85412900
案例 PQFN5X6
Transistor kind HEXFET
Transistor type N-MOSFET
功率 3.6W
Drain-source voltage 200V
极化 unipolar
Drain current 20A
Multiplicity 1
Gross weight 0.09 g
安装 SMD
Collective package [pcs] 30
spg 30

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