International Rectifier
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 最大门源电压 | ±20 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 150 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最低工作温度 | -55 |
| Package Height | 0.81 |
| 安装 | Surface Mount |
| 最大功率耗散 | 3600 |
| 渠道类型 | N |
| 封装 | Tape and Reel |
| 最大漏源电阻 | 3.5@10V |
| 最大漏源电压 | 40 |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| Package Width | 6 |
| 供应商封装形式 | PQFN |
| Package Length | 5 |
| PCB | 8 |
| 最大连续漏极电流 | 24 |
| 引脚数 | 8 |
| FET特点 | Standard |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 24A (Ta), 100A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 4V @ 100µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 40V |
| 标准包装 | 400 |
| 供应商设备封装 | PQFN (5x6) |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 3.5 mOhm @ 50A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 3.6W |
| 封装/外壳 | 8-VQFN Exposed Pad |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 3120pF @ 25V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 80nC @ 10V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 其他名称 | IRFH5104TR2PBFCT |
| 类别 | Power MOSFET |
| 配置 | Quad Drain, Single, Triple Source |
| 外形尺寸 | 6 x 5 x 0.9mm |
| 身高 | 0.9mm |
| 长度 | 6mm |
| 最大连续漏极电流 | 24 A |
| 最大漏源电阻 | 3.5 mΩ |
| 最大漏源电压 | 40 V |
| 最大门源电压 | ±20 V |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 最大功率耗散 | 3.6 W |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 包装类型 | PQFN |
| 典型栅极电荷@ VGS | 53 nC V @ 10 |
| 典型输入电容@ VDS | 3120 pF V @ 25 |
| 典型关闭延迟时间 | 20 ns |
| 典型导通延迟时间 | 9.5 ns |
| 宽度 | 5mm |
| 工厂包装数量 | 400 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 源极击穿电压 | +/- 20 V |
| 连续漏极电流 | 100 A |
| 正向跨导 - 闵 | 56 S |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| RDS（ON） | 3.5 mOhms |
| 功率耗散 | 114 W |
| 栅极电荷Qg | 53 nC |
| 上升时间 | 15 ns |
| 漏源击穿电压 | 40 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 下降时间 | 10 ns |
| Continuous Drain Current Id | :24A |
| Drain Source Voltage Vds | :40V |
| On Resistance Rds(on) | :0.0029ohm |
| Rds(on) Test Voltage Vgs | :10V |
| Threshold Voltage Vgs | :4V |
| 功耗 | :3.6W |
| Operating Temperature Min | :-55°C |
| Operating Temperature Max | :150°C |
| Transistor Case Style | :QFN |
| No. of Pins | :8 |
| MSL | :MSL 1 - Unlimited |
| SVHC | :No SVHC (20-Jun-2013) |
| 工作温度范围 | :-55°C to +150°C |
| Voltage Vgs Max | :20V |
| Weight (kg) | 0.0005 |
| Tariff No. | 85412900 |
| 案例 | PQFN5X6 |
| Gate charge | 53nC |
| Transistor kind | HEXFET |
| Transistor type | N-MOSFET |
| 功率 | 114W |
| Drain-source voltage | 40V |
| 极化 | unipolar |
| Drain current | 100A |
| Multiplicity | 1 |
| Gross weight | 0.12 g |
| gate-source voltage | 20V |
| On-state resistance | 3.5mΩ |
| Collective package [pcs] | 30 |
| Junction-to-case thermal resistance | 1.1K/W |
| spg | 30 |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
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