international rectifier
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 包装 | 15Direct-FET L8 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 150 V |
| 最大连续漏极电流 | 67 A |
| RDS -于 | 11@10V mOhm |
| 最大门源电压 | ±20 V |
| 典型导通延迟时间 | 16 ns |
| 典型上升时间 | 19 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 36 ns |
| 典型下降时间 | 12 ns |
| 工作温度 | -55 to 175 °C |
| 安装 | Surface Mount |
| 标准包装 | Tape & Reel |
| FET特点 | Standard |
| 封装 | Tape & Reel (TR) |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 375A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 5V @ 250µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 150V |
| 供应商设备封装 | DIRECTFET L8 |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 11 mOhm @ 40A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 3.3W |
| 封装/外壳 | DirectFET™ Isometric L8 |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 6660pF @ 25V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 150nC @ 10V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 工厂包装数量 | 4000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 源极击穿电压 | 20 V |
| 连续漏极电流 | 67 A |
| RDS（ON） | 11 mOhms |
| 功率耗散 | 125 W |
| 商品名 | DirectFET |
| 配置 | Single Octal Source Hex Drain |
| 最高工作温度 | + 175 C |
| 漏源击穿电压 | 150 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 栅极电荷Qg | 97 nC |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 375A (Tc) |
| 其他名称 | IRF7779L2TRPBFCT |
| 案例 | DirectFET |
| Transistor type | N-MOSFET |
| 功率 | 125W |
| Drain-source voltage | 150V |
| 极化 | unipolar |
| Drain current | 67A |
| Multiplicity | 4000 |
| Gross weight | 0.43 g |
| Package type | roll |
| Collective package [pcs] | 4000 |
| spg | 4000 |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
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