厂商型号:

IR2125STRPBF

芯天下内部编号:
176-IR2125STRPBF
生产厂商:

international rectifier

microsemi
描述:
M
客户编号:
规格书:

所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。

产品参数

Type Description
包装 16SOIC W
驱动器类型 High and Low Side
驱动程序配置 Non-Inverting
输出数 1
最大工作电源电压 18 V
最低工作电源电压 0 V
峰值输出电流 3.3(Typ) A
最大功率耗散 1250 mW
输入逻辑相容性 CMOS|LSTTL|2.5V(Min)|5V|15V
最大上升时间 60 ns
最大下降时间 35 ns
最大电源电流 1.2 mA
工作温度 -40 to 125 °C
安装 Surface Mount
标准包装 Tape & Reel
安装类型 Surface Mount
配置数 1
供应商设备封装 16-SOIC
封装 Tape & Reel (TR)
电压 - 电源 0 V ~ 18 V
输入类型 Non-Inverting
高端电压 - 最大值(自启动) 500V
封装/外壳 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
配置 High-Side
电流 - 峰值 1A
延迟时间 170ns
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
其他名称 IR2125STRPBFCT
工厂包装数量 1000
类型 Current Limiting Single Channel Driver
最大关闭延迟时间 200 ns
下降时间 35 ns
安装风格 SMD/SMT
产品 MOSFET Gate Drivers
最高工作温度 + 125 C
最大开启延迟时间 170 ns
电源电压 - 最大 18 V
电源电压 - 最小 0 V
RoHS RoHS Compliant
输出电流 1 A
驱动器数 1
最低工作温度 - 40 C
上升时间 60 ns
电源电流 1.2 mA
功率耗散 1.25 W
工作温度范围 -40C to 125C
包装类型 SOIC W
引脚数 16
传播延迟时间 270 ns
工作温度分类 Automotive
弧度硬化 No
工作电源电压(最小值) 0 V
工作电源电压(最大值) 18 V
DriverType MOSFET/IGBT

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