International Rectifier
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 系列 | * |
| 标准包装 | 75 |
| 类别 | Power MOSFET |
| 通道模式 | Enhancement |
| 渠道类型 | N |
| 配置 | Single |
| 外形尺寸 | 6.73 x 6.22 x 2.39mm |
| 身高 | 2.39mm |
| 长度 | 6.73mm |
| 最大连续漏极电流 | 25 A |
| 最大漏源电阻 | 37 mΩ |
| 最大漏源电压 | 55 V |
| 最大门源电压 | ±16 V |
| 最高工作温度 | +175 °C |
| 最大功率耗散 | 57 W |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 包装类型 | D-PAK |
| 引脚数 | 3 |
| 典型栅极电荷@ VGS | 20 nC @ 10 V |
| 典型输入电容@ VDS | 710 pF @ 25 V |
| 典型关闭延迟时间 | 25 ns |
| 典型导通延迟时间 | 8 ns |
| 宽度 | 6.22mm |
| RoHS指令 | Compliant |
| 工厂包装数量 | 75 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 源极击穿电压 | 16 V |
| 连续漏极电流 | 25 A |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| RDS（ON） | 43 mOhms |
| 封装 | Tube |
| 功率耗散 | 57 W |
| 封装/外壳 | DPAK |
| 漏源击穿电压 | 55 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 栅极电荷Qg | 13.3 nC |
| 栅源电压（最大值） | �16 V |
| 安装 | Surface Mount |
| 工作温度范围 | -55C to 175C |
| 极性 | N |
| 类型 | Power MOSFET |
| 元件数 | 1 |
| 工作温度分类 | Military |
| 漏源导通电压 | 55 V |
| 弧度硬化 | No |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
|
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