International Rectifier
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| FET特点 | Standard |
| 封装 | Tube |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 35A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 4V @ 50µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 100V |
| 标准包装 | 75 |
| 供应商设备封装 | DPAK |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 28.5 mOhm @ 21A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 91W |
| 封装/外壳 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 1690pF @ 25V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 59nC @ 10V |
| 工厂包装数量 | 75 |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 连续漏极电流 | 35 A |
| 栅源电压（最大值） | �20 V |
| 功率耗散 | 91 W |
| 安装 | Surface Mount |
| 工作温度范围 | -55C to 175C |
| 包装类型 | DPAK |
| 引脚数 | 2 +Tab |
| 极性 | N |
| 类型 | Power MOSFET |
| 元件数 | 1 |
| 工作温度分类 | Military |
| 通道模式 | Enhancement |
| 漏源导通电压 | 100 V |
| 弧度硬化 | No |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
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