所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 工厂包装数量 | 2000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 源极击穿电压 | 20 V |
| 连续漏极电流 | 56 A |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| RDS(ON) | 16 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 功率耗散 | 110 W |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 封装/外壳 | DPAK |
| 典型关闭延迟时间 | 55 ns |
| 配置 | Single |
| 漏源击穿电压 | 55 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 栅极电荷Qg | 70 nC |
| 案例 | DPAK |
| Transistor type | N-MOSFET |
| 功率 | 110W |
| Drain-source voltage | 55V |
| 极化 | unipolar |
| Drain current | 56A |
| Multiplicity | 2000 |
| Gross weight | 0.43 g |
| Package type | roll |
| Collective package [pcs] | 2000 |
| spg | 2000 |
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