所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 系列 | * |
| 标准包装 | 25 |
| 类别 | Power MOSFET |
| 通道模式 | Enhancement |
| 渠道类型 | N |
| 配置 | Dual Drain |
| 外形尺寸 | 15.87 x 5.31 x 20.7mm |
| 身高 | 20.7mm |
| 长度 | 15.87mm |
| 最大连续漏极电流 | 380 A |
| 最大漏源电阻 | 1.6 mΩ |
| 最大漏源电压 | 24 V |
| 最大门源电压 | ±20 V |
| 最高工作温度 | +175 °C |
| 最大功率耗散 | 380 W |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 安装类型 | Through Hole |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 包装类型 | TO-247AD |
| 引脚数 | 4 |
| 典型栅极电荷@ VGS | 260 nC @ 10 V |
| 典型输入电容@ VDS | 11220 pF @ 25 V |
| 典型关闭延迟时间 | 150 ns |
| 典型导通延迟时间 | 70 ns |
| 宽度 | 5.31mm |
| RoHS指令 | Compliant |
| 封装 | Tube |
| 工厂包装数量 | 25 |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 栅源电压(最大值) | �20 V |
| 功率耗散 | 380 W |
| 安装 | Through Hole |
| 工作温度范围 | -55C to 175C |
| 极性 | N |
| 类型 | Power MOSFET |
| 元件数 | 1 |
| 工作温度分类 | Military |
| 漏源导通电压 | 24 V |
| 弧度硬化 | No |
| 晶体管极性 | :N Channel |
| Continuous Drain Current Id | :180A |
| Drain Source Voltage Vds | :24V |
| On Resistance Rds(on) | :0.00125ohm |
| Rds(on) Test Voltage Vgs | :10V |
| Threshold Voltage Vgs | :2V |
| 功耗 | :380mW |
| Operating Temperature Min | :-55°C |
| Operating Temperature Max | :175°C |
| Transistor Case Style | :TO-247 |
| No. of Pins | :3 |
| MSL | :- |
| SVHC | :No SVHC (20-Jun-2013) |
| Weight (kg) | 0.006 |
| Tariff No. | 85412900 |
| 案例 | TO247AD |
| Transistor type | N-MOSFET |
| 功率 | 380W |
| Drain-source voltage | 24V |
| 极化 | unipolar |
| Drain current | 380A |
| Multiplicity | 1 |
| Gross weight | 4.13 g |
| Collective package [pcs] | 10 |
| spg | 10 |
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