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图片仅供参考,产品以实物为准

厂商型号

IRGS15B60KDPBF 

产品描述

Trans IGBT Chip N-CH 600V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

内部编号

176-IRGS15B60KDPBF

#1

数量:86
1+¥29.077
3+¥26.863
10+¥25.535
25+¥21.624
100+¥18.818
最小起订金额:¥1850
比利时布鲁塞尔
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#2

数量:86
1+¥29.077
3+¥26.863
10+¥25.535
25+¥21.624
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IRGS15B60KDPBF产品详细规格

规格书 IRGS15B60KDPBF datasheet 规格书
IRGS15B60KDPBF datasheet 规格书
IRGS15B60KDPBF datasheet 规格书
文档 IGBT D2Pak Mold Compound 16/Sep/2013
IRGB15B60KDPBF Spice Model
IRGB15B60KDPBF Saber Model
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 50
IGBT 型 NPT
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 600V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.2V @ 15V, 15A
- 集电极电流(Ic)(最大) 31A
功率 - 最大 208W
Input 型 Standard
安装类型 Surface Mount
包/盒 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供应商器件封装 D2PAK
包装材料 Tube
包装 3D2PAK
配置 Single
最大集电极发射极电压 600 V
最大连续集电极电流 31 A
最大栅极发射极电压 ±20 V
安装 Surface Mount
标准包装 Rail / Tube
供应商封装形式 D2PAK
标准包装名称 D2PAK
欧盟RoHS指令 Compliant
包装宽度 9.65(Max)
包装高度 4.83(Max)
标签 Tab
PCB 2
包装长度 10.67(Max)
引脚数 3
铅形状 Gull-wing
栅极电荷 56nC
电流 - 集电极( Ic)(最大) 31A
安装类型 Surface Mount
开关能量 560µJ
时间Td(开/关) @ 25°C 34ns/184ns
Vce(开) (最大值) Vge,Ic时 2.2V @ 15V, 15A
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 600V
供应商设备封装 D2PAK
反向恢复时间(trr ) 92ns
封装 Tube
功率 - 最大 208W
输入类型 Standard
封装/外壳 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IGBT类型 NPT
测试条件 400V, 15A, 22 Ohm, 15V
电流 - 集电极脉冲( ICM ) 62A
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
工厂包装数量 50
集电极 - 发射极饱和电压 2.2 V
栅极 - 射极漏泄电流 100 nA
连续集电极电流Ic最大 31 A
连续集电极电流在25 C 31 A
集电极 - 发射极最大电压VCEO 600 V
安装风格 SMD/SMT
功率耗散 139 W
最低工作温度 - 55 C
最高工作温度 + 150 C
RoHS RoHS Compliant
DC Collector Current :31A
Collector Emitter Voltage Vces :1.8V
功耗 :208W
Collector Emitter Voltage V(br)ceo :600V
Operating Temperature Min :-55°C
Operating Temperature Max :150°C
Weight (kg) 0
Tariff No. 85412900
案例 D2PAK
Transistor type IGBT
功率 139W
Collector-emitter voltage 600V
Multiplicity 1
Collector current 31A
Gross weight 0.43 g
Collective package [pcs] 50
spg 50
associated 80-4-5

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