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文档 |
IGBT D2Pak Mold Compound 16/Sep/2013 IRGB15B60KDPBF Spice Model IRGB15B60KDPBF Saber Model |
Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
标准包装 | 50 |
IGBT 型 | NPT |
电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 600V |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.2V @ 15V, 15A |
- 集电极电流(Ic)(最大) | 31A |
功率 - 最大 | 208W |
Input 型 | Standard |
安装类型 | Surface Mount |
包/盒 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
供应商器件封装 | D2PAK |
包装材料 | Tube |
包装 | 3D2PAK |
配置 | Single |
最大集电极发射极电压 | 600 V |
最大连续集电极电流 | 31 A |
最大栅极发射极电压 | ±20 V |
安装 | Surface Mount |
标准包装 | Rail / Tube |
供应商封装形式 | D2PAK |
标准包装名称 | D2PAK |
欧盟RoHS指令 | Compliant |
包装宽度 | 9.65(Max) |
包装高度 | 4.83(Max) |
标签 | Tab |
PCB | 2 |
包装长度 | 10.67(Max) |
引脚数 | 3 |
铅形状 | Gull-wing |
栅极电荷 | 56nC |
电流 - 集电极( Ic)(最大) | 31A |
安装类型 | Surface Mount |
开关能量 | 560µJ |
时间Td(开/关) @ 25°C | 34ns/184ns |
Vce(开) (最大值) Vge,Ic时 | 2.2V @ 15V, 15A |
电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 600V |
供应商设备封装 | D2PAK |
反向恢复时间(trr ) | 92ns |
封装 | Tube |
功率 - 最大 | 208W |
输入类型 | Standard |
封装/外壳 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
IGBT类型 | NPT |
测试条件 | 400V, 15A, 22 Ohm, 15V |
电流 - 集电极脉冲( ICM ) | 62A |
RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
工厂包装数量 | 50 |
集电极 - 发射极饱和电压 | 2.2 V |
栅极 - 射极漏泄电流 | 100 nA |
连续集电极电流Ic最大 | 31 A |
连续集电极电流在25 C | 31 A |
集电极 - 发射极最大电压VCEO | 600 V |
安装风格 | SMD/SMT |
功率耗散 | 139 W |
最低工作温度 | - 55 C |
最高工作温度 | + 150 C |
RoHS | RoHS Compliant |
DC Collector Current | :31A |
Collector Emitter Voltage Vces | :1.8V |
功耗 | :208W |
Collector Emitter Voltage V(br)ceo | :600V |
Operating Temperature Min | :-55°C |
Operating Temperature Max | :150°C |
Weight (kg) | 0 |
Tariff No. | 85412900 |
案例 | D2PAK |
Transistor type | IGBT |
功率 | 139W |
Collector-emitter voltage | 600V |
Multiplicity | 1 |
Collector current | 31A |
Gross weight | 0.43 g |
Collective package [pcs] | 50 |
spg | 50 |
associated | 80-4-5 |
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