International Rectifier
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| RoHS | RoHS Compliant |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 漏源击穿电压 | - 30 V |
| 源极击穿电压 | 25 V |
| 连续漏极电流 | - 9.8 A |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装/外壳 | SOIC-8 |
| 封装 | Tube |
| 栅极电荷Qg | 14 nC |
| 功率耗散 | 2.5 W |
| 工厂包装数量 | 95 |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 9.8A (Ta) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 2.4V @ 25µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 30V |
| 供应商设备封装 | SO-8 |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 17.5 mOhm @ 9.8A, 10V |
| FET型 | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 2.5W |
| 标准包装 | 95 |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 1270pF @ 25V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 14nC @ 4.5V |
| 封装/外壳 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
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