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图片仅供参考,产品以实物为准

厂商型号

IRF9333TRPBF 

产品描述

MOSFET MOSFT P-Ch -30V -9.2A 19.4mOhm

内部编号

176-IRF9333TRPBF

#1

数量:10001
最小起订金额:¥1575
马来西亚吉隆坡
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IRF9333TRPBF产品详细规格

规格书 IRF9333TRPBF datasheet 规格书
IRF9333PBF
文档 IRF9333PBF Spice Model
IRF9333PBF Saber Model
Mosfet Backend Wafer Processing 23/Oct/2013
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 4,000
FET 型 MOSFET P-Channel, Metal Oxide
FET特点 Logic Level Gate
漏极至源极电压(VDSS) 30V
电流-连续漏极(编号)@ 25°C 9.2A
Rds(最大)@ ID,VGS 19.4 mOhm @ 9.2A, 10V
VGS(TH)(最大)@ Id 2.4V @ 25µA
栅极电荷(Qg)@ VGS 38nC @ 10V
输入电容(Ciss)@ Vds的 1110pF @ 25V
功率 - 最大 2.5W
安装类型 Surface Mount
包/盒 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
供应商器件封装 8-SO
包装材料 Tape & Reel (TR)
最大门源电压 ±20
安装 Surface Mount
包装宽度 3.99(Max)
PCB 8
最大功率耗散 2500
最大漏源电压 30
欧盟RoHS指令 Compliant
最大漏源电阻 19.4@10V
每个芯片的元件数 1
最低工作温度 -55
供应商封装形式 SOIC N
标准包装名称 SOIC
最高工作温度 150
渠道类型 P
包装长度 4.98(Max)
引脚数 8
通道模式 Enhancement
包装高度 1.57(Max)
最大连续漏极电流 9.2
封装 Tape and Reel
铅形状 Gull-wing
FET特点 Logic Level Gate
安装类型 Surface Mount
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C 9.2A (Ta)
的Vgs(th ) (最大)@ Id 2.4V @ 25µA
漏极至源极电压(Vdss) 30V
供应商设备封装 8-SO
开态Rds(最大)@ Id ,V GS 19.4 mOhm @ 9.2A, 10V
FET型 MOSFET P-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大 2.5W
标准包装 4,000
输入电容(Ciss ) @ VDS 1110pF @ 25V
其他名称 IRF9333TRPBFTR
闸电荷(Qg ) @ VGS 38nC @ 10V
封装/外壳 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
工厂包装数量 4000
晶体管极性 P-Channel
源极击穿电压 20 V
连续漏极电流 - 9.2 A
安装风格 SMD/SMT
RDS(ON) 32.5 mOhms
功率耗散 2.5 W
封装/外壳 SOIC-8
漏源击穿电压 - 30 V
RoHS RoHS Compliant
栅极电荷Qg 14 nC
Continuous Drain Current Id :-9.2A
Drain Source Voltage Vds :-30V
On Resistance Rds(on) :15.6mohm
Rds(on) Test Voltage Vgs :-10V
Threshold Voltage Vgs :-1.8V
Weight (kg) 0
Tariff No. 85412100
案例 SO8
Transistor type P-MOSFET
功率 2.5W
Drain-source voltage -30V
极化 unipolar
Drain current -9.2A
Multiplicity 4000
Gross weight 0.43 g
Package type roll
Collective package [pcs] 4000
spg 4000

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