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数量:10001 |
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规格书 |
![]() IRF9333PBF |
文档 |
IRF9333PBF Spice Model IRF9333PBF Saber Model Mosfet Backend Wafer Processing 23/Oct/2013 |
Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
标准包装 | 4,000 |
FET 型 | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
FET特点 | Logic Level Gate |
漏极至源极电压(VDSS) | 30V |
电流-连续漏极(编号)@ 25°C | 9.2A |
Rds(最大)@ ID,VGS | 19.4 mOhm @ 9.2A, 10V |
VGS(TH)(最大)@ Id | 2.4V @ 25µA |
栅极电荷(Qg)@ VGS | 38nC @ 10V |
输入电容(Ciss)@ Vds的 | 1110pF @ 25V |
功率 - 最大 | 2.5W |
安装类型 | Surface Mount |
包/盒 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) |
供应商器件封装 | 8-SO |
包装材料 | Tape & Reel (TR) |
最大门源电压 | ±20 |
安装 | Surface Mount |
包装宽度 | 3.99(Max) |
PCB | 8 |
最大功率耗散 | 2500 |
最大漏源电压 | 30 |
欧盟RoHS指令 | Compliant |
最大漏源电阻 | 19.4@10V |
每个芯片的元件数 | 1 |
最低工作温度 | -55 |
供应商封装形式 | SOIC N |
标准包装名称 | SOIC |
最高工作温度 | 150 |
渠道类型 | P |
包装长度 | 4.98(Max) |
引脚数 | 8 |
通道模式 | Enhancement |
包装高度 | 1.57(Max) |
最大连续漏极电流 | 9.2 |
封装 | Tape and Reel |
铅形状 | Gull-wing |
FET特点 | Logic Level Gate |
安装类型 | Surface Mount |
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C | 9.2A (Ta) |
的Vgs(th ) (最大)@ Id | 2.4V @ 25µA |
漏极至源极电压(Vdss) | 30V |
供应商设备封装 | 8-SO |
开态Rds(最大)@ Id ,V GS | 19.4 mOhm @ 9.2A, 10V |
FET型 | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
功率 - 最大 | 2.5W |
标准包装 | 4,000 |
输入电容(Ciss ) @ VDS | 1110pF @ 25V |
其他名称 | IRF9333TRPBFTR |
闸电荷(Qg ) @ VGS | 38nC @ 10V |
封装/外壳 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
工厂包装数量 | 4000 |
晶体管极性 | P-Channel |
源极击穿电压 | 20 V |
连续漏极电流 | - 9.2 A |
安装风格 | SMD/SMT |
RDS(ON) | 32.5 mOhms |
功率耗散 | 2.5 W |
封装/外壳 | SOIC-8 |
漏源击穿电压 | - 30 V |
RoHS | RoHS Compliant |
栅极电荷Qg | 14 nC |
Continuous Drain Current Id | :-9.2A |
Drain Source Voltage Vds | :-30V |
On Resistance Rds(on) | :15.6mohm |
Rds(on) Test Voltage Vgs | :-10V |
Threshold Voltage Vgs | :-1.8V |
Weight (kg) | 0 |
Tariff No. | 85412100 |
案例 | SO8 |
Transistor type | P-MOSFET |
功率 | 2.5W |
Drain-source voltage | -30V |
极化 | unipolar |
Drain current | -9.2A |
Multiplicity | 4000 |
Gross weight | 0.43 g |
Package type | roll |
Collective package [pcs] | 4000 |
spg | 4000 |
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