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数量:3718 |
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| 规格书 |
 IRF9332PBF |
| 文档 |
Mosfet Backend Wafer Processing 23/Oct/2013 |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 4,000 |
| FET 型 | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 30V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 9.8A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 17.5 mOhm @ 9.8A, 10V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 2.4V @ 25µA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 41nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 1270pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 2.5W |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR) |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 封装 | Tape & Reel (TR) |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 9.8A (Ta) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 2.4V @ 25µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 30V |
| 标准包装 | 4,000 |
| 供应商设备封装 | 8-SO |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 17.5 mOhm @ 9.8A, 10V |
| FET型 | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 2.5W |
| 封装/外壳 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 1270pF @ 25V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 41nC @ 10V |
| 工厂包装数量 | 4000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 源极击穿电压 | 20 V |
| 连续漏极电流 | - 9.8 A |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| RDS（ON） | 28.1 mOhms |
| 功率耗散 | 2.5 W |
| 漏源击穿电压 | - 30 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 栅极电荷Qg | 14 nC |
| 案例 | SO8 |
| Transistor kind | HEXFET |
| Transistor type | P-MOSFET |
| 功率 | 2.5W |
| Drain-source voltage | -30V |
| 极化 | unipolar |
| Drain current | -9.8A |
| Multiplicity | 1 |
| Gross weight | 0.07 g |
| 安装 | SMD |
| Collective package [pcs] | 50 |
| spg | 50 |
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