International Rectifier
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| FET特点 | Standard |
| 封装 | Tape & Reel (TR) |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 46A (Ta), 270A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 4V @ 250µA |
| 封装/外壳 | DirectFET™ Isometric L8 |
| 供应商设备封装 | DIRECTFET L8 |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 1 mOhm @ 160A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 3.8W |
| 标准包装 | 4,000 |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 40V |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 11880pF @ 25V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 330nC @ 10V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 商品名 | DirectFET |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 46A (Ta), 270A (Tc) |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 其他名称 | IRF7739L1TRPBFCT |
| 案例 | DirectFET |
| Transistor type | N-MOSFET |
| 功率 | 125W |
| Drain-source voltage | 40V |
| 极化 | unipolar |
| Drain current | 270A |
| Multiplicity | 1 |
| Gross weight | 0.45 g |
| 安装 | SMD |
| Collective package [pcs] | 1 |
| spg | 1 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 40V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 11880pF @ 25V |
| 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值） | 1 mOhm @ 160A, 10V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 330nC @ 10V |
| FET 功能 | Standard |
| FET 类型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 封装/外壳 | DirectFET™ Isometric L8 |
| 功率 - 最大值 | 3.8W |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
|
咨询QQ
热线电话
