图片仅供参考,产品以实物为准
#1 |
数量:970 |
|
最小起订量:1 美国加州 当天发货，5-8个工作日送达. |
|
| 规格书 |
 IRF7707 |
| 文档 |
Gen 8 Rev2 08/Jul/2011 |
| 标准包装 | 4,000 |
| FET 型 | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 20V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 7A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 22 mOhm @ 7A, 4.5V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 1.2V @ 250µA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 47nC @ 4.5V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 2361pF @ 15V |
| 功率 - 最大 | 1.5W |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm 宽度 ) |
| 供应商器件封装 | 8-TSSOP |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR);;其他的名称； |
| 最大门源电压 | ±12 |
| 安装 | Surface Mount |
| 包装宽度 | 4.4 |
| PCB | 8 |
| 最大功率耗散 | 1500 |
| 最大漏源电压 | 20 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最大漏源电阻 | 22@4.5V |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 最低工作温度 | -55 |
| 供应商封装形式 | TSSOP |
| 标准包装名称 | TSSOP |
| 最高工作温度 | 150 |
| 渠道类型 | P |
| 包装长度 | 3 |
| 引脚数 | 8 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 包装高度 | 1 |
| 最大连续漏极电流 | 7 |
| 封装 | Tape and Reel |
| 铅形状 | Gull-wing |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 7A (Ta) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 1.2V @ 250µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 20V |
| 标准包装 | 4,000 |
| 供应商设备封装 | 8-TSSOP |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 22 mOhm @ 7A, 4.5V |
| FET型 | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 1.5W |
| 封装/外壳 | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 2361pF @ 15V |
| 其他名称 | IRF7707GTRPBFTR |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 47nC @ 4.5V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 工厂包装数量 | 4000 |
| 配置 | Single |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 连续漏极电流 | - 7 A |
| 正向跨导 - 闵 | 15 S |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| RDS（ON） | 22 mOhms |
| 功率耗散 | 1.5 W |
| 栅极电荷Qg | 47 nC |
| 上升时间 | 81 ns |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 漏源击穿电压 | - 20 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 下降时间 | 207 ns |
IRF7707GTRPBF也可以通过以下分类找到
IRF7707GTRPBF相关搜索
咨询QQ
综合类：
热线电话
智能AI技术专家