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厂商型号

IRF7494TRPBF 

产品描述

MOSFET MOSFT 150V 5.2A 44mOhm 36nC Qg

内部编号

176-IRF7494TRPBF

#1

数量:235
1+¥4.99
10+¥3.769
30+¥3.521
100+¥3.283
最小起订量:1
深圳
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#2

数量:235
1+¥4.99
10+¥3.769
30+¥3.521
100+¥3.283
最小起订量:1
深圳
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#3

数量:10001
最小起订金额:¥1575
马来西亚吉隆坡
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订购说明

质量保障

原厂背书质量,全面技术支持

全场免邮
全场免运费 /报价不含任何销售税

IRF7494TRPBF产品详细规格

规格书 IRF7494TRPBF datasheet 规格书
IRF7494PbF
IRF7494TRPBF datasheet 规格书
文档 IRF7494PBF Spice Model
IRF7494PBF Saber Model
Gen 10.1 Devices 12/Sept/2012
设计资源 IRF7494PBF Saber 模式 l
标准包装 4,000
FET 型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点 Logic Level Gate
漏极至源极电压(VDSS) 150V
电流-连续漏极(编号)@ 25°C 5.1A
Rds(最大)@ ID,VGS 44 mOhm @ 3.1A, 10V
VGS(TH)(最大)@ Id 4V @ 250µA
栅极电荷(Qg)@ VGS 53nC @ 10V
输入电容(Ciss)@ Vds的 1783pF @ 25V
功率 - 最大 2.5W
安装类型 Surface Mount
包/盒 8-SOIC (0.154", 3.90mm 宽度 )
供应商器件封装 8-SO
包装材料 Tape & Reel (TR);;其他的名称;
最大门源电压 ±20
安装 Surface Mount
包装宽度 4(Max)
PCB 8
最大功率耗散 2500
最大漏源电压 150
欧盟RoHS指令 Compliant
最大漏源电阻 44@10V
每个芯片的元件数 1
最低工作温度 -55
供应商封装形式 SOIC
标准包装名称 SOIC
最高工作温度 150
渠道类型 N
包装长度 5(Max)
引脚数 8
通道模式 Enhancement
包装高度 1.5(Max)
最大连续漏极电流 5.1
封装 Tape and Reel
铅形状 Gull-wing
FET特点 Logic Level Gate
安装类型 Surface Mount
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C 5.1A (Ta)
的Vgs(th ) (最大)@ Id 4V @ 250µA
漏极至源极电压(Vdss) 150V
标准包装 4,000
供应商设备封装 8-SO
开态Rds(最大)@ Id ,V GS 44 mOhm @ 3.1A, 10V
FET型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大 2.5W
封装/外壳 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
输入电容(Ciss ) @ VDS 1783pF @ 25V
闸电荷(Qg ) @ VGS 53nC @ 10V
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
其他名称 IRF7494TRPBFCT
工厂包装数量 4000
晶体管极性 N-Channel
源极击穿电压 20 V
连续漏极电流 5.2 A
安装风格 SMD/SMT
功率耗散 3 W
漏源击穿电压 150 V
RoHS RoHS Compliant
栅极电荷Qg 36 nC
栅源电压(最大值) �20 V
漏源导通电阻 0.044 ohm
工作温度范围 -55C to 150C
包装类型 SOIC
极性 N
类型 Power MOSFET
元件数 1
工作温度分类 Military
漏源导通电压 150 V
弧度硬化 No
删除 Compliant
案例 SO8
Transistor type N-MOSFET
功率 6W
Drain-source voltage 150V
极化 unipolar
Drain current 5.2A
Multiplicity 4000
Gross weight 0.43 g
Package type roll
Collective package [pcs] 4000
spg 4000
associated IRF7494PBF
80-4-5

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