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IRF7494PBF Spice Model IRF7494PBF Saber Model Gen 10.1 Devices 12/Sept/2012 |
设计资源 | IRF7494PBF Saber 模式 l |
标准包装 | 4,000 |
FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET特点 | Logic Level Gate |
漏极至源极电压(VDSS) | 150V |
电流-连续漏极(编号)@ 25°C | 5.1A |
Rds(最大)@ ID,VGS | 44 mOhm @ 3.1A, 10V |
VGS(TH)(最大)@ Id | 4V @ 250µA |
栅极电荷(Qg)@ VGS | 53nC @ 10V |
输入电容(Ciss)@ Vds的 | 1783pF @ 25V |
功率 - 最大 | 2.5W |
安装类型 | Surface Mount |
包/盒 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm 宽度 ) |
供应商器件封装 | 8-SO |
包装材料 | Tape & Reel (TR);;其他的名称; |
最大门源电压 | ±20 |
安装 | Surface Mount |
包装宽度 | 4(Max) |
PCB | 8 |
最大功率耗散 | 2500 |
最大漏源电压 | 150 |
欧盟RoHS指令 | Compliant |
最大漏源电阻 | 44@10V |
每个芯片的元件数 | 1 |
最低工作温度 | -55 |
供应商封装形式 | SOIC |
标准包装名称 | SOIC |
最高工作温度 | 150 |
渠道类型 | N |
包装长度 | 5(Max) |
引脚数 | 8 |
通道模式 | Enhancement |
包装高度 | 1.5(Max) |
最大连续漏极电流 | 5.1 |
封装 | Tape and Reel |
铅形状 | Gull-wing |
FET特点 | Logic Level Gate |
安装类型 | Surface Mount |
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C | 5.1A (Ta) |
的Vgs(th ) (最大)@ Id | 4V @ 250µA |
漏极至源极电压(Vdss) | 150V |
标准包装 | 4,000 |
供应商设备封装 | 8-SO |
开态Rds(最大)@ Id ,V GS | 44 mOhm @ 3.1A, 10V |
FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
功率 - 最大 | 2.5W |
封装/外壳 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
输入电容(Ciss ) @ VDS | 1783pF @ 25V |
闸电荷(Qg ) @ VGS | 53nC @ 10V |
RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
其他名称 | IRF7494TRPBFCT |
工厂包装数量 | 4000 |
晶体管极性 | N-Channel |
源极击穿电压 | 20 V |
连续漏极电流 | 5.2 A |
安装风格 | SMD/SMT |
功率耗散 | 3 W |
漏源击穿电压 | 150 V |
RoHS | RoHS Compliant |
栅极电荷Qg | 36 nC |
栅源电压(最大值) | �20 V |
漏源导通电阻 | 0.044 ohm |
工作温度范围 | -55C to 150C |
包装类型 | SOIC |
极性 | N |
类型 | Power MOSFET |
元件数 | 1 |
工作温度分类 | Military |
漏源导通电压 | 150 V |
弧度硬化 | No |
删除 | Compliant |
案例 | SO8 |
Transistor type | N-MOSFET |
功率 | 6W |
Drain-source voltage | 150V |
极化 | unipolar |
Drain current | 5.2A |
Multiplicity | 4000 |
Gross weight | 0.43 g |
Package type | roll |
Collective package [pcs] | 4000 |
spg | 4000 |
associated | IRF7494PBF 80-4-5 |
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