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厂商型号

IRF7484TRPBF 

产品描述

MOSFET MOSFT 40V 14A 10mOhm 69nC

内部编号

176-IRF7484TRPBF

#1

数量:10001
最小起订金额:¥1575
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IRF7484TRPBF产品详细规格

规格书 IRF7484TRPBF datasheet 规格书
IRF7484PbF
IRF7484TRPBF datasheet 规格书
标准包装 4,000
FET 型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点 Logic Level Gate
漏极至源极电压(VDSS) 40V
电流-连续漏极(编号)@ 25°C 14A
Rds(最大)@ ID,VGS 10 mOhm @ 14A, 7V
VGS(TH)(最大)@ Id 2V @ 250µA
栅极电荷(Qg)@ VGS 100nC @ 7V
输入电容(Ciss)@ Vds的 3520pF @ 25V
功率 - 最大 2.5W
安装类型 Surface Mount
包/盒 8-SOIC (0.154", 3.90mm 宽度 )
供应商器件封装 8-SO
包装材料 Tape & Reel (TR);;其他的名称;
最大门源电压 ±8
安装 Surface Mount
包装宽度 4(Max)
PCB 8
最大功率耗散 2500
最大漏源电压 40
欧盟RoHS指令 Compliant
最大漏源电阻 10@7V
每个芯片的元件数 1
最低工作温度 -55
供应商封装形式 SOIC
标准包装名称 SOIC
最高工作温度 150
渠道类型 N
包装长度 5(Max)
引脚数 8
通道模式 Enhancement
包装高度 1.5(Max)
最大连续漏极电流 14
封装 Tape and Reel
铅形状 Gull-wing
FET特点 Logic Level Gate
安装类型 Surface Mount
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C 14A (Ta)
的Vgs(th ) (最大)@ Id 2V @ 250µA
漏极至源极电压(Vdss) 40V
标准包装 4,000
供应商设备封装 8-SO
开态Rds(最大)@ Id ,V GS 10 mOhm @ 14A, 7V
FET型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大 2.5W
封装/外壳 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
输入电容(Ciss ) @ VDS 3520pF @ 25V
闸电荷(Qg ) @ VGS 100nC @ 7V
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
其他名称 IRF7484TRPBFCT
工厂包装数量 4000
配置 Single
连续漏极电流 14 A
正向跨导 - 闵 40 S
安装风格 SMD/SMT
RDS(ON) 10 mOhms
功率耗散 2.5 W
栅极电荷Qg 100 nC
上升时间 5 ns
最高工作温度 + 150 C
漏源击穿电压 40 V
RoHS RoHS Compliant
下降时间 58 ns

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